（免责声明，以防它不是很明显-我非常n00b，尤其是在理解晶体管时）。
我以为我已经弄清楚了-p沟道MOSFET是（或可用作）高侧开关，用于与我的MCU所运行的电源不同的电压源。为了检验我的理解，我在面包板上放了以下内容：
模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图
U1（5V arduino）上的代码使我可以将线路驱动为高电平或低电平，或者将其置于高阻态以模拟所有3种情况。我希望将线驱动为低电平会以9V点亮LED，而将线驱动为高会关闭LED（mosfet漏极为0V）。实际发生的是-完全没有光，并且漏极的电压为6V（5.9V）。我很困惑-这是怎么回事？
这是我正在使用的mosfet：https : //www.sparkfun.com/datasheets/Components/General/FQP27P06.pdf
它甚至应由3.3V逻辑电平控制，因此5V应该就可以了。
Answers:
OP电路有错误。它将无法关闭LED，因此LED一直亮着。要关闭P沟道MOSFET，您需要将栅极拉至源极。在电路中，源极始终为+ 9V，但上拉R1仅变为+ 5V（VCC）。
高端P沟道MOSFET开关通常看起来像这样。
Q2可以是小型N沟道MOSFET或小型NPN晶体管。
另一方面，是否有理由使用高端P通道开关（而不是低端N通道开关）？您是否进行此设置只是为了更好地了解P沟道MOSFET？
电路中有几件事需要更改：
您想将MOSFET栅极拉至9V，而不是VCC。
完成此操作后，您将无法直接使用LED_EN引脚，因为它可能无法承受9V的电压。
要解决此问题，您可以使用N沟道MOSFET下拉P-FET的栅极。
您将在LED上需要一个限流电阻。
这是我为另一个答案做的图：
这是在驱动电动机，但是相同的电路可用于驱动LED（带有附加电阻）。我想链接的答案也会给您一些很好的信息，如果我自己说的话！:)
祝好运。