TO-220封装的实际电流限制

我看到许多MOSFET晶体管的TO-220封装中的连续电流高得惊人。更不可思议的是，开路电阻很低。
例如，我想使用IRFB7545PbF N-MOSFET晶体管。数据表中规定最大连续电流为67A，RdON低于5.9mOhm。
我不相信这是可能的。
在这种情况下，TO-220封装的微小引脚将具有几毫欧的更大的电阻，会发热并解焊。

我哪里错了？

我相信里面的半导体能够承受这样的电流，但是我不相信TO-220封装可以提供...

铅电阻不是问题。查看IRFB7545PBF数据表。引线横截面约为0.38 mm x 1.14 mm（最小）。横截面积为〜0.5 mm。这等效于20 ga的导线，电阻约为〜10mΩ/ ft。引线长度为0.3英寸，则总电阻为0.25mΩ。当然，两条引线的总电阻为0.5mΩ（小于所述5.9mΩ的10％）。封装的总功耗为26 W（67 x 67 x .0059），完全在TO220的限制之内。$^2$

在此负载下，每根引线将耗散1 W功率。对于在自由空气中长期运行而言，足以熔化引线，但这不是使用TO220的方式。引线将被焊接到印制电路板上，并带有很重的走线（以避免电路板分层），这些走线将用于将热量从引线上散发出去。

对于它的价值，数据表指定了100°C的外壳温度下的67 A数字。

预计到达时间-根据irf.com上的常见问题解答说明，TO220封装的电流极限为75 A，因此最初怀疑TO220不能处理大电流几乎是正确的。

通常，如果您仔细阅读，这些电流是在外壳温度（神奇地？）保持在25℃时指定的。因此，如果您有某种方法可以冷却包装并在此温度下保持外壳温度，则可以通过这些电流。您可能会争辩说线索也是案例的一部分。

绝对不是现实世界的规格，但是我认为IR是由IR发起的，其他公司也纷纷采用，因此他们的FET看上去并不逊色。如今，没有人对此数字给予过多关注。