为什么图腾柱结构上不发生直通？

我正在设计BJT的图腾柱，以驱动MOSFET。我研究了几个在线示例，并根据对它们的了解建立了自己的电路。但是，有一个细节被我牢记。我想知道为什么在时钟脉冲的转变时间不直通发生在该电路中（例如，当）？换句话说，为什么在过渡期间两个BJT不能同时打开？$V_{clk} \tilde= 6V$

^{模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

仿真结果：

（V _tp和V _gs重叠。）

除非NPN的Vbe> 0.6V，PNP的Vbe <-0.6V，否则这些晶体管不会导通。而且，由于基极和发射极是绑在一起的，因此这两个条件不可能同时成立。因此，当一个晶体管导通时，另一个晶体管截止。

然而

如果R2太低，则导通的晶体管将“饱和”。并且当饱和时，移除基极电流后将需要大量时间才能将其关闭。这个问题和答案讨论了该问题的一种著名解决方案。

但是，R2的当前值限制了基极电流，因为R2两端的电压会相对较低，因此晶体管不会硬饱和，并且会相对快速地关断。

在真正的图腾柱配置中，直通通常会在切换期间很短的时间内发生。

但是，您拥有的不是图腾柱配置。您有两个背对背的发射器跟随者。在这种情况下，您将无法直通。为了使每个晶体管导通，基极必须是从发射极朝向集电极电压的一个结点。因此，您的双发射极跟随器具有两个结压降（约1.2-1.4 V）的死区，两个晶体管都不会导通。

例如，假设Vtp为6 V，并且每个晶体管至少需要600 mV BE电压才能以有意义的方式导通（PNP实际上为-600 mV，但这在这种情况下是隐含的）。这意味着，当R2的右侧在5.4至6.6 V的范围内时，两个晶体管均处于截止状态。如果该电压超过6.6 V，则顶部晶体管将开始变为1，从而导致电流从其发射极流出，这将Vtp升高至低于驱动电压600-700 mV。底部晶体管的相反符号也是如此。当驱动电压低于5.4 V时，底部晶体管开始导通并通过其发射极吸收电流，这又将Vtp拉低，以保持低于驱动电压600-700 mV。