NAND闪存如何写入？

下面是我对NAND闪存操作的理解的图片。

NAND闪存的工作方式是首先擦除单个块中的所有单元（本质上将其设置为1），然后有选择地写入0。我的问题是-由于字线在单个Page中的所有单元之间共享，因此NAND控制器如何将0编程为页面中的特定单元？

对于NOR闪光灯，很容易看到可以通过使用热电子注入（在整个单元上施加高压）来对特定的单元进行编程。但是对于NAND，由于NAND单元彼此串联，所以不可能这样做，并且不可能对特定的单元施加高压。因此，在NAND中完成的工作是量子隧穿，即向字线提供高电压以写入0。我不清楚的是如何使该电压具有选择性（换句话说，因为字线在a中的单元之间共享）页面，将单个位编程为0的高压不应同时将页面中的其他位也设为0）。

下图是问题中NAND FLash存储器阵列组织的详细版本。NAND闪存阵列被划分为多个块，这些块又细分为页面。甲页面是可以由被寻址的数据的最小粒度外部控制器。

上图是来自Vidyabhushan Mohan的图2.2“一个NAND闪存阵列” 。NAND闪存物理特性的建模。硕士论文。弗吉尼亚大学夏洛茨维尔分校。2010年5月。

为了执行编程操作，换句话说，将“ 0 ” 写入所需的单元，外部存储器控制器需要确定要编程的页面的物理地址。对于每个写操作，由于NAND闪存不允许就地更新操作，因此需要选择一个空闲的有效页。然后，控制器将 编程命令，要编程的数据和页面的物理地址发送到芯片。

当控制器发出对编程操作的请求时，将选择存储阵列的一行（对应于请求的页面），并且页面缓冲区中的锁存器将被写入数据。所述SST然后接通而GST被关闭由控制单元。为了使FN隧穿发生，在浮置栅极和衬底之间必须有高电场。该高电场是由所选择的行的控制栅极设定为高电压来实现的Vpgm，和偏置对应于逻辑位线“0”到地面。

这在浮栅和衬底之间产生了高电势差，从而导致电子从衬底隧穿到浮栅上。对于“ 1 ”编程（基本上是非编程），存储单元应保持与编程操作之前相同的状态。尽管采用了不同的技术来防止电子隧穿这种电池，但我们假设自增强编程禁止操作。

该技术通过驱动对应于逻辑“位线提供了必要的编程禁止电压1 ”至Vcc的并通过接通的SSL和关闭的GSL。当所选行的字线上升到Vpgm时，通过控制栅极，浮置栅极，沟道和主体的串联电容将耦合，从而自动提高沟道电势并防止FN隧穿。

该信息是从此处获取和总结的，从该资源中也可以找到对NAND闪存进行编程的更多详细信息。