功率MOSFET间歇性故障

我正在研究非常零散的电机故障（我不是设计师）。我们有一个绕线电枢，它由功率MOSFET切换。这些由FET图腾柱型FET驱动器驱动。因此，当驱动器关闭时，功率FET的栅极将浮置。是的，我知道。错误的设计选择。我只是清理烂摊子。

在电机的定子侧有一个由微型输出控制的双向可控硅和驱动电路。插入电动机后，由于微端口处于三态，直到启动完成，驱动线才浮空。由于此端口线进入与门并处于浮动状态，因此最终会在其上获得大约5个AC周期的交流信号，其幅度足以触发门极和双向可控硅。这将在定子上放置大约3-5个线路的半个周期，根据电源阻抗的不同，峰值最高可达100A。对。另一个设计错误-应该将其拉低。

问题-这种情况很少发生，功率MOSFET也不会发生故障。在数百个电机中，我们遇到了三个故障，即功率FET的漏极和栅极至源极短路。问题-考虑到功率MOSFET电路的设计欠佳，我可能要确定是否可能怀疑这一系列电流尖峰（确实会在电枢上感应出电压-匝数比为1：1）。MOSFET正对着电枢绕组。电动机发生故障时，在运行期间不会发生故障。只要插入电源，它似乎就会失败。我的证据全是旁白的-到目前为止，我一直无法强迫失败。但是插件的大量尖峰，失败的稀有性以及复制它的困难似乎都表明了这一点。如果我走错了路，我需要知道并知道原因。这似乎可能会损坏FET，但我

目前，我正在使用PLC监视几个电动机，以使其循环运转。该计划是循环直到失败，应用设计更正并再次运行。除非我有天才的闪光。

FET栅极不得浮空。
在那种状态下无法保证任何事情。

Miller电容会愉快地将大的驱动信号从漏极瞬态耦合到栅极。驱动高于其Vgsmax值的栅极通常会足够刺穿栅极氧化物，并且可能导致GDS之间的硬短路的任何组合。我见过DS空头道理，G空头道理，GS空头道理，D空头道理，以及G空头道理，空头道理S开盘，但我不确定100％如此。

对于具有电感性负载的任何功率FET，我都添加一个GS齐纳二极管，该齐纳二极管应尽可能靠近FET安装，其额定电压应高于Vgs_drive_max，并且应低于VGS_abs_max。这会将几分钟至几小时内发生故障的电路转换为永不故障的电路。