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封装:功率二极管可以具有很多材料(硅和金属)来吸收热量,而LED需要透明的表面和外壳才能使光透过。
功耗:正如您所说,功率二极管经过微调以降低正向(导电)压降。硅二极管的电压低至300 ... 500 mV,而1N4148等小信号二极管的典型650 ... 750 mV。LED的典型正向电压范围为1600 mV ... 2400 mV。困扰芯片的是功耗所产生的热量:P = V * I。为了简单起见,我们假设一个LED和一个功率二极管消耗的电量相同。由于LED的正向电压比“普通”二极管的正向电压大五倍,因此LED只能处理1/5的电流。
工艺修整:此外,主要修整LED以获得较高的效率(相对于电源输入的光输出),而修整功率二极管以实现最大的功率处理能力。因此,功率二极管通常可以在比LED更高的温度下运行。实际上,功率二极管在LED开始分解的温度下开始感到高兴。
这些只是非常粗略的近似值,研究更好的高输出LED的人们在阅读本文时可能会感到畏缩,但是这些示例仍显示了您所提问题的一般答案...并且他们展示了LED研究的目的:高临时芯片,创新的封装技术以将热量从芯片传导出去,低的正向电压(通常由过程中涉及的材料和掺杂剂来定义-请记住,材料定义了颜色,根本没有多少东西可用于建立一些颜色),...
这主要是由于结区不同,功率二极管的结会大得多。典型的LED结为0.28mm x 0.28mm。有些LED消耗的电流与功率二极管一样多。