正如前面对OP所指出的,当您“增量”一个常量时,它会消失而没有任何痕迹。我也是一个学习者,我一直在与同一本书的这一部分作斗争。我不明白为什么作者要我们将输入电压设置为恒定值,但是我可以将其包含在证明自己已经过时的证明中,并得到正确的结果。
您可以通过首先查看发射极跟随电路具有两个并联的阻抗来使用电子学101知识。从输出端往右看,然后右转到晶体管的发射极。左转,您正在寻找发射极电阻。有一个电压源和一个接地连接使您感到困惑,但是可以忽略这些阻抗以获得阻抗。要知道这是真的,请制作一个带有一个电阻器和一个电压源的非常简单的电路,例如,向您展示串联电压源不会改变电阻器的阻抗(电阻)。阻抗的定义为:
Z=ΔV/ΔI.
同样,这是电阻器的R。现在回到发射器跟随器
模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图
因此,Z1是进入晶体管发射极的阻抗,Z2只是R2,它们是并联的。“进入”是有意义的,因为对于晶体管,它实际上取决于您对它进行观察的方式(例如,输出和输入阻抗不同)。
请记住,对于两个并联电阻,总电阻为。
另外,R等于乘积之和,可以写成:
因此,进入Vout的阻抗为
1/R=1/R1+1/R2.
R=R1||R2
Z1||Z2
Z_2只是R_2。让我们找到Z_1,即进入晶体管发射极的阻抗。同样,阻抗的定义为:
发射极的电压变化Delta V_e等于Vin的变化加上R1上的电压变化加上基极上的电压变化。 -发射极结:
Z1=ΔVe/ΔIe
Z1=ΔVin+ΔVR1+ΔVbeΔIe
由于基极-发射极结电压大致保持恒定,
ΔVbe≈0.6V−0.6V=0
..但从晶体管的发射极流出的电流约为流入基极的电流的β倍。
ΔIe=ΔIb(1+β)
=>Z1=ΔVin+ΔVR1ΔIb(1+β)
当然:
ΔIb=ΔIin.
根据阻抗的定义,我们有输入阻抗:
=>Z1=Zin+R1(1+β)
如果您正在阅读本文,那么您可能已经通过了发射极跟随器的输入阻抗,该阻抗出现在上式中。这部分让我有些不安,因为它取决于我们与晶体管部分分离的射极跟随器部分(射极电阻R_2)。但是无论如何,继续...
射极跟随器的输入阻抗由下式给出:
替换为:
因此有Z_1的等式。它与Z_2(即R_2)并联,因此,射极跟随器输出的总阻抗为:
现在回到问题。我不知道为什么作者希望我们在输入电压保持恒定的情况下做一个证明(对不起),但是我们可以通过采用上述等式之一并将delta_V设置为零来做到这一点:
Zin=(1+β)∗R2
Z1=(1+β)∗R2+R1(1+β)
=R2+R1(1+β)
Z=R2||(R2+R1(1+β))
Z1=ΔVin+VR1ΔIb(1+β)
DeltaVin=0
=>Z1=ΔVR1ΔIb(1+β)
=>Z1=R1(1+β)
现在我们有:
Z=Z2||R1(1+β)
在页面的后面,作者说:
严格来说,电路的输出阻抗还应包括R的并联电阻,但实际上Zout(射向发射极的阻抗)占主导地位。
好的,因此省略Z_2,我们得到:
Z=R1(1+β)
在书Z_1中称为Zout。