MOSFET导通时，源极和漏极两端的电压是否下降？

像二极管和BJT的压降约为0.6V一样，当MOSFET导通时，MOSFET的漏极和源极之间是否存在压降？在数据手册中，他们提到了二极管的正向压降，但我假设它仅用于体二极管。

当导通时（即，Vgs足够大时，请检查数据表），MOSFET的行为就像电阻器。在数据表中查找该电阻的值。它称为Rds（on）。它的电阻可能很小，远小于欧姆。知道电阻后，就可以根据电流来计算电压降。

MOSFET：当栅极电压相对于阈值电压Vth较大时，从漏极到源极的压降与电流线性相关（对于小电压<< MOSFET的Vth），因此它的作用类似于电阻器。当MOSFET进一步增强时，电阻会减小，因此n沟道MOSFET栅极上相对于源极的正电压更高。小型MOSFET的等效电阻可能为几十欧姆，大功率MOSFET的等效电阻可能为毫欧。从2N7000数据表您会看到，对于4V的栅极电压和Vds <0.5V的电阻，其电阻为几欧姆（通常，最坏的情况会远不止于此）。因此，通常在50mA时，它将下降100mV。（电阻Rds（on）是靠近原点的曲线的斜率）。高温时，Rds（on）会大大增加，因此请注意使用25°C规格。如果您没有给它足够的栅极电压（许多MOSFET指定为10V，有些指定为4.5，有些则指定为1.8或2.5），您可能会得到更高的Rds（on）。

BJT：从集电极到发射极的压降取决于电流，但不是线性的。在低电流和高基极电流下，BJT的电压降可能会达到数十毫伏。从2N3904数据表中，可以看到当Ib = Ic / 10时的特性。您可以看到，例如电流为50mA时，其压降约为90mV，因此与2N7000非常相似。Vce（sat）是相关的规范。它在温度下相当稳定，但是您必须给它足够的基极电流以达到预期的集电极电流。如果没有给它足够的基极电流，则集电极到发射极之间的电压会大大增加。超过基本电压时，它不再被视为饱和。

两者之间的一个有趣的区别是，MOSFET在零电流时几乎下降了零电压，而BJT在零集电极电流时可能下降了10 mV（假设您在基极中放置了一些合理的电流-上面的曲线没有反映出来）。这使得MOSFET通常对于10mV很大的精密仪器应用来说是一个出色的开关。

我认为您正在比较两个不同的事物。

通常在BJT中看到的0.6V压降是BE（基极至发射极）结。

对于mosfet，没有类似的比喻。GS（栅极到源极）将始终是相对于源极的栅极电压。

对于BJT集电极到发射极，这将根据您的集电极电流以及集电极或发射极电阻而变化。

对于mosfet，有一个称为Rds（on）的参数，它是源极和漏极之间的电阻。因此，DS（漏极至源极）电压（例如CE电压）将根据电流而变化。