MOSFET的源极与漏极极性

使用MOSTEFS作为开关时，我总是会看到漏极连接到较高的电位，并且负载和源极始终连接到地。您可以切换这些开关，使Source引脚连接到较高的电位，而Drain接地吗？

为了澄清其他人已经说过的话，MOSFET具有一个内部二极管，该二极管在N沟道器件中从源极指向漏极，在P沟道器件中从漏极指向源极。这不是制造商有意添加的东西，而是MOSFET制造方法的副产品。在大多数情况下，该二极管会在翻转时阻止MOSFET发挥作用。在某些有意使用此二极管的应用中，您可以考虑“高级”应用。一个例子是制造一个同步整流器。基本上，这是一个二极管，晶体管跨接在其上。当已知二极管应导通时，晶体管导通。这降低了二极管两端的压降，有时可用于开关电源，以提高效率。

对于N沟道FET，您观察到的源极为负而漏极为正。就像有NPN和PNP双极晶体管一样，有N沟道和P沟道FET彼此极性相反。AP沟道FET将与正极和负极漏极连接。在截止状态下，栅极保持在源电压。要打开它，对于大多数普通的MOSFET，栅极相对于源极降低12-15V。

如果需要接地参考负载，则可以使用P沟道MOSFET。这将是您描述的电路的镜像，即源极连接到较高电压，漏极通过负载连接到0V。但是，您的栅极驱动器将需要反转，并且需要接近较高电压才能关闭负载。

mosfet实际上是四个终端设备。漏极，源极，栅极和主体。

对于N沟道mosfet，掺杂结构会产生二极管，使电流从人体流到漏极，再从人体流到源极。

如果您的mosfet的所有四个端子都分别引出，则漏极和源极之间存在对称性。如果主体保持在小于或等于漏极和源极电压的电位，则MOSFET可用于在两个方向上切换电流。

但是，大多数分立的mosfet内部都与源极相连，从而将二极管从源极有效地排到漏极。因此，mosfet只能阻止一个方向上的电流。

问题是内部二极管，该二极管始终会在0.7V的压降下反向传导，因此当您将MOSFET导通时，您会将压降降低到0V就是这样。

如果您的应用程序可以应对反向体二极管，则可以执行此操作-在某些情况下这很有用，例如具有低压降的反向极性保护。