LDO稳压器为什么会有这么大的压降？

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为什么LDO线性稳压器不使用MOSFET作为主要组件以使压降最小（取决于电流，仍然必须为几mV）为零？

还是可以期望基于MOSFET和运算放大器构建一个零压降稳压器？

ldo

— 酒吧怪兽
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我看到LDO仅下降50mV。还不够好？

— stevenvh 2011年

很好，但是MOSFET应该可以做更多的事情:-)

— BarsMonster 2011年

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有是有降电压接近0毫伏监管。在具有反向电流保护的TPS73101，无电容，NMOS，150mA低压降稳压器中，检查第6页上的图5 。

另一个例子是LTC1844-150 mA，微功耗，低噪声，VLDO线性稳压器。

稳压器在如此低的压差下的问题在于，在那些区域中，它们具有糟糕的参数（线路/负载调节和PSRR）。

至于那部分，如果有可能用运放和分立的MOS器件构建这样的稳压器-是的，这是可能的。您将必须使用PMOS并注意稳定性（在这样的配置中使反馈环路稳定并不容易）。

— 气化
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我明白了，谢谢...正是我的想法...基于P-MOSFET的却没有任何电荷泵：-D

— BarsMonster 2011年

如果压差为0V，则根本没有线路调节！:-)

— stevenvh 2011年

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如果需要超低LDO，则需要具有极低输入至输出饱和电压的器件（即FET），并且需要某种方式使控制电压高于输入电压。

使用BJT总是会限制您 $V_{CE}$ 饱和电压，再加上足够的基极电流，以确保必要时晶体管将完全导通。另外， $V_{BE}$ 必须考虑电压。如果基极比集电极低1V，则发射极必须大于1V + $V_{BE}$ 降低。

如果您将N沟道FET用作串联调整元件，则需要使栅极足够高于源极，以使FET完全导通。许多逻辑级FET需要的电压超过一伏。许多场效应管 $R_{DS(on)}$ 需要甚至更高。例如，如果将栅极与输入电压绑定，则可以预期 $V_{GS}$ 根据您的问题定义，阈值电压将在MOSFET两端下降，使其成为“有损” LDO。

使用FET和能够完全导通MOSFET的驱动器的分立LDO（即，栅极电压高于输入电压）将使您能够制造仅具有一个串联的LDO $R_{DS(on)}$ 从理论上讲损失。但是话又说回来，如果您已经有更高的电源轨，为什么不将其用作稳压器输入，而不再担心超低LDO？

— 亚当·劳伦斯
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那么P-MOSFET和反相控制信号呢？

— BarsMonster 2011年

N沟道MOSFET是电子多数载流子器件，而P沟道MOSFET不是。您无法达到同样的低点

R_{D S (o n)}

$R_{DS(on)}$ 即使控制更简单，也可以将P通道作为N通道。否则，它将仍然有效。

— 亚当·劳伦斯

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@Madmanguruman-您可以使PMOS具有与nmos相同的RDSon-它必须比使用相同技术制造的NMOS大3倍左右。基于pmos的LDO的主要问题在于，很难使它们稳定和/或使其具有合适的参数。

— mazurnification 2011年

同意-我的声明基于保持零件的恒定包装尺寸。

— 亚当·劳伦斯

@mazurnification：使用NFET调节负电压轨而不是正电压轨会没有任何困难吗？我知道更常见的电路拓扑是调节正轨（7805比7905流行得多），但是在许多应用中，这实际上并不重要。

— 超级猫

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一些LDO使用外部MOSFET：

http://www.micrel.com/page.do?page=/product-info/products/mic5156.shtml

— 里昂·海勒
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我设计了一个分立的LDO线性稳压器电路，该电路使用n沟道MOSFET产生负电压。这是22年前，我在一家电子杂志上发布了该杂志，该杂志旨在为13.8伏特的SLA电池充电。

成千上万种以一种或另一种形式建造，我没有任何稳定性问题。这种古老的简单电路可以配置有p沟道FET和较低的输出电压，如今，这种下降将受到低MOSFET导通电阻的限制。SMD零件意味着分立器件不会受到影响，因此我知道现在可以实现真正的低压降。

— 自闭症
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有文章参考吗？

— 彼得·格林

彼得·格林（Peter Green。），在互联网开放之前，我会向澳大利亚电子杂志《硅树脂芯片》的编辑LEO SIMPSON提交文章。我提交的手写手稿有时会放在电路部分。我确定是发表但没有赢。

— 自闭症2015年