进行LED开/关调制的最快方法?


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我需要快速调节LED的开/关(几兆赫兹范围)。这是一个大功率LED。我很难找到任何知名的方法来做到这一点。只需用FET切换电压即可快速打开LED,但下降时间会受到影响,为解决这个问题,我想有一些不同的解决方案,例如,短时间切换反向偏置?有任何想法吗?

我认为关断的根本问题是电荷载流子使pn结有点像电感器,因为关断电压梯度后电流会持续一小段时间,但我没有在此找到任何参考。

我知道可以更快地调制激光二极管。

编辑:由于这个问题有很多看法,让我添加一些背景信息-此应用程序是使用飞行时间CMOS传感器的3D相机。本质上,您发出光,它会在要成像的场景上反弹,并且图像传感器可以辨别出发送光和接收光之间的相位差。更快,更深的调制意味着更好的分辨率和更少的3D图像噪声。在此特定应用中,目标调制速率为20 MHz。


激光绝不能与LED相提并论(除了两者都发光之外)。最快的激光比LED快倍。109
stevenvh 2011年

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@stevenvh:是的,这相当于“快得多”,对吗?;)
Bjorn Wesen

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为什么激光二极管的调制速度比常规发光二极管快?
endolith's

Answers:


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如果您尝试以这种方式发送数据,请不要尝试将其调制为0%-100%。走10%-90%,这会更快。

要快速关闭它,您需要2个推挽配置的晶体管PNP + NPN或N-MOSFET + P-MOSFET,以便在“关闭”状态下LED会短路接地。使用BJT实现高速将会更容易。

如果需要超过1-5Mhz,则需要添加抗饱和肖特基二极管。

另一尝试是从4个BJT中桥接电路-它将更快地消除LED中的剩余电荷(因为LED将在关闭状态下反向偏置),但我没有尝试过。如果反向偏置过多,某些LED可能会死亡。


感谢您的回答,这是我正在尝试的东西!另一个问题:0-100比10-90%慢意味着什么?显然,总的上升/下降时间会变慢,但如果上升/下降沿速度相同,则眼图区域总计会增加,并有助于我进行调制。为什么BJT设置更快?缺乏FET栅极电荷调制?
Bjorn Wesen

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是的,很难高速驱动MOSFET。关于10-90的事情-关断时的上升比亮度的10%慢。因此,例如,由于在DVD-RW驱动器中使用了这种方法-激光永远不会关闭,但是在“关闭”状态下它的功率会大大降低。
BarsMonster 2011年

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另外,似乎我错了90%左右-忽略了2例是0-100%和10-100%,而不是0-100和10-90。
BarsMonster 2011年

@BarsMonster您应该使用10-100%的内容修正原始评论
Shadetheartist

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LED本身需要一些时间才能关闭,但我认为仍然可以达到几个MHz。

听起来您的问题是用于切换LED的晶体管的关闭时间。尝试从发射器而不是集电极驱动LED。逻辑输出直接驱动NPN的基极,集电极连接到电源,发射极连接到电阻,然后连接到LED,然后接地。由于晶体管从不饱和,因此应迅速关断。该基极被积极地施加低电压,这也有助于快速关闭它。


是的,我至少要尝试使用具有更快指定关断时间的FET-尽管简单地移动栅极电荷也是一个决定性因素,所以也需要缓冲器。您认为BJT在这种情况下实际上会更好吗?我要拉2A ...
Bjorn Wesen

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<str>前几天我们看到的那些发射极开关双极晶体管中的一个会帮助吗?我记得它们的开关时间似乎比普通的NPN bjts快。</ strike>没关系,我想它们是用于高压应用的
NickHalden 2011年

@JGord:我并不是真的在谈论dV / dt。在这种情况下,我们切换的是电流,而不是电压。饱和的BJT需要一段时间才能关闭,因为基地中有很多额外的少数族裔。它们在基本电流被切断后会徘徊,导致导通,直到最终耗尽。BJT永远不会在发射极跟随器模式下饱和,因此可以快速关闭。不,发射极开关双极性在这里不合适。
奥林·拉斯罗普


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要从Brian O'Regan发布的链接中添加相关信息作为完整答案:

该文档涉及数字LED驱动器的三种常见/常用电路:

  1. 串联驱动
  2. 分流器
  3. 与超速和低速分流

1.系列

原理图

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

  • Q1直接切换LED

Pro:平均电源电流
低Con:低速(<30-50 Mb / s)

2.分流

原理图

模拟该电路

  • Q1使LED分流-快速放电==快速关闭时间

优点:更高的速度(几倍于1倍)
缺点:更高的功耗(与LED点亮相比,LED消耗的电流更多!)

3.上下驱动器分流

原理图

模拟该电路

延伸2。

  • C1减少Q1的切换时间
  • R3,R4和C2在开启时提供过驱动,在关闭时提供欠驱动
  • R3 + C2的典型RC时间常数== LED的上升/下降时间

优点:产生的速度比2高。
缺点:需要精心选择的值-否则具有破坏性

摘要:

  • 对于高性能LED和驱动器设计,光学上升时间可以短至1.5ns。
  • 大多数LED的关闭时间较慢。
  • 通过精心设计,可以达到2.5ns的光关闭时间。
  • 通常有一个小(峰值驱动电流的百分之几)的预偏置电流来改善动态响应,因此LED永远不会产生反向偏置。

通过所有这些概念,对于生产就绪的设置,可以达到约270 Mb / s的运行速度。


所有这些信息仅来自链接的文档。尚未进行自我实验。


我觉得这是对原始答案的太大修改;如果那是错误的,我很乐意将信息移到编辑中。


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您是否考虑过使用“晶体管驱动器”来驱动LED?(或者考虑使用“晶体管驱动器”来驱动晶体管-然后驱动您的LED?)

我说的是诸如Microchip MCP14628,Texas Instruments TPS28226等器件,这些器件可从我最喜欢的电子供应网站上获得,数据手册声称所有这些器件都可以在10 ns内切换高电容负载。(希望您的LED电容要小得多,因此这些芯片可以更快地切换它)。

ps:每个晶体管驱动器的数据表为“峰值功率”给出了一个很大的数字。该数字仅对非常短的脉冲有效。LED通常具有相似的“峰值功率”额定值,约为连续功率额定值的4倍。我听说大多数光通信系统都是经过精心设计的,因此该系统最多将LED或激光打开一或两次,然后关闭并使其冷却-例如,两种编码方式之一,又称曼彻斯特编码,以及四分之一的编码,也称为PPM

我听到有传言说某些IrDA设备可以以16 Mbit / s,96 Mbit / s或1 Gbit / s的速度进行通信。这与您想做的事情是否足够接近,您可以购买现成的东西?还是买一些现成的东西,打开它,然后进行相对较小的修改?


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我用Zetex FMMT 413、415或417 TA制作了雪崩晶体管电路。我使用了50欧姆的同轴电缆,而不是电容器,就像在Blumlein电路中一样。这样,我开了一个小的SMT绿色LED,上升时间约为7 ns,脉冲宽度约为10 ns(由Blumlein电路的同轴电缆长度决定)。您需要为雪崩晶体管提供高压电源。


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原理图将有助于使您的答案更有用。在获得更多代表之前,您可以将其上传到免费的图片托管网站,并在答案中包含一个链接。然后,有人将编辑您的答案以将图像插入行内。
Photon

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另外,这里不使用问候和称呼。带有用户名的图标会自动添加到您的所有帖子中。如果要共享您的联系信息,可以将其放在用户页面上。
Photon

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我想添加我在论文中看到的电路。它同时具有超速行驶和低速行驶,但我不知道它与3相比有何不同。好像它应该是低功率的……至少在关闭时。同样,必须小心谨慎地设置值,以使电荷上的正电流峰值和放电上的负电流峰值(以及它们施加到二极管的相关电压尖峰)不会炸裂,尽管您可以在其中放置TVS。并联以保护LED,并在不牺牲速度的情况下使组件选择变得至关重要。

我尚未使用此电路,但是您可以通过与MOSFET并联的大偏置电阻来提高开启速度,以便在关闭LED时使其偏置。但是,MOSFET泄漏电流可能对此足够,或者在电流达到峰值时可能不必要。我想您也可以将其更改为发射极或源极跟随器,以防止饱和,如果晶体管速度最终以某种方式成为限制因素。

原理图

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图


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我不知道您的应用程序是什么,但是这种高亮度LED驱动器范围是否值得关注/使用?

http://www.maxim-ic.com/datasheet/index.mvp/id/5274

还有其他类似的。


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谢谢,但是开关模式电流源太慢,无法控制已调制的LED,除非将其作为纯均值控制来完成-例如,如果使用50/50占空比调制开/关,则可以使用电流驱动器来提供平均电流。但对于我的应用程序,我实际上并不需要超稳定电流,这是很重要的一点,那就是实际的开/关开关,无论如何,这必须从外部添加到上述芯片中。这里的问题主要是LED和FET / BJT物理问题,而不是电流控制(串联电阻会起作用)。
Bjorn Wesen

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我看着快脉冲之前,我们最终实施类似的电路在本文中(以更好的画质数字相关简报)。这实际上是电流脉冲整形电路,如果搜索“纳秒脉冲LED”,将会发现更多的信息

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