我想了解计算过程如何导致处理器变热。我了解到热量是由晶体管产生的。
- 晶体管如何精确地产生热量?
- 芯片数量和产生的热量之间的相关性是否线性?
- CPU制造商是否优化单个晶体管的位置以最小化产生的热量?
我想了解计算过程如何导致处理器变热。我了解到热量是由晶体管产生的。
Answers:
晶体管(在现代IC中为FET)永远不会立即从完全截止切换到完全导通。在FET导通或关断的一段时间内,FET的作用就像电阻一样(即使完全导通,FET仍具有电阻)。
晶体管切换的次数越多,它们在该电阻状态下花费的时间就越多,因此它们产生的热量也就越多。因此,产生的热量可以与晶体管的数量成正比-但它也取决于哪个晶体管在做什么以及何时进行操作,而这又取决于指令芯片执行什么操作。
是的,制造商可以根据模块可能产生的热量,将其设计的特定模块(不是单个晶体管,而是构成完整功能的模块)放置在某些区域中-将其放置在具有更好热粘合性的位置,或者放置在它远离可能产生热量的另一个块。它们还必须考虑芯片内的功率分配,因此不一定总是可以随意放置模块,因此必须妥协。
所有电流流过的不是超导体的东西都会产生热量。在芯片中,它主要在铝的“金属”层中流动(事实证明,为什么不是铜?与硅的其他部分发生讨厌的化学相互作用)。
是什么导致电流流动?每当晶体管改变状态时,可以将其建模为电容器(被驱动逻辑门的FET门加上寄生线电容)通过前一门的线和输出FET进行充电/放电。这是“切换”或“动态”电源。它与开关速度和电压的平方成正比;因此,从5V到3.3V到1.8V的驱动可提高效率。
绝缘子不是完美的,在某些地方非常薄。晶体管可能没有完全“关闭”。如果FET的截止电阻为兆欧,并且将其并联放置一百万个,则它看起来像一个1欧姆的电阻。这就是“漏电”的力量。它与晶体管数量成正比。
我在一家初创公司工作了十年,致力于电源优化。:)有很多技术:速度/泄漏权衡(“高k金属门”),完全关闭电路的某些部分,时钟门控,降低时钟频率,调整尺寸和布局。