微控制器上的数据保留

只要阅读attiny13的数据表，它就可以在85摄氏度下保存20年，在25摄氏度下保存100年。

• 这是否与微型计算机上的读写无关，例如，我将其关闭并在85摄氏度的恒温下保持20年，它将丢失其数据？
• 它如何“松散”其数据？我看不到这个概念。
• ppm数据保留部分中第6页提到的ppm（百万分之一）单位又是什么，但不了解其含义。在谈论晶体振荡器时，我经常看到它，但不明白为什么使用它。

像EEPROM一样，闪存将其信息存储在所谓的浮栅中。（MOS）FET上的普通栅极具有外部连接，通过该外部连接可以打开和关闭FET（对于集成MOSFET，这将是金属层连接）。浮栅没有此引脚或金属层连接。他们坐在完全绝缘的SiO 2的MOSFET的通道上方，并在> 10 14 Ω厘米的SiO 2是你可以得到最好的绝缘体之一。 $_2$$10^{14} \Omega$$_2$

像传统的MOSFET一样，它们在携带电荷时会打开通道。但是，如何编程呢？通过称为隧道效应的量子效应，该效应是通过在沟道和控制栅极之间施加电场来感应的。因此，该技术被称为FLOTOX，是“浮栅隧穿氧化物”的简称，与旧式可紫外线擦除的EPROM中使用的FAMOS（“浮栅雪崩注入金属氧化物半导体”）相当。
（我在这里无法详细解释隧道效应；量子效应无视任何逻辑。无论如何，它严重依赖于统计数据）。

您的第一个问题实际上是一个双重问题：1）我可以执行无限次的读取和写入操作，并且2）在不使用设备时（保存期限），它是否可以保留数据？
首先开始：不，您不能。您可以无限次地读取它，但是写入周期是有限的。数据表显示为1万次。有限的循环数是由擦除后残留在浮栅中的电荷载流子引起的，电荷载流子的数目最终变得如此之大，以至于无法再擦除该单元。
即使没有电源，它也会保留20年的数据吗？是的，这就是数据表中所说的。MTTF（平均故障时间）计算（再次采用统计方法）预测的错误率不到百万分之一。这就是ppm的意思。

关于MTTF的注释
MTTF表示平均故障时间，与MTBF（平均故障间隔时间）不同。MTBF = MTTF + MTTR（平均修复时间）。说得通。
人们通常在实际使用MTTF时使用术语MTBF。在许多情况下，两者之间并没有太大差异，例如MTTF为10年，MTTR为2小时。但是出现故障的微控制器无法修复，而是被替换了，因此MTTR和MTBF在这里都没有任何意义。

Atmel引用100年后的误差为1ppm。显然，AVR尚未投入生产那么长时间，那么他们将如何得出这一数字？一直存在一个误解，那就是这仅仅是一个线性的事情：1000 000小时后有1个有缺陷的设备将与1000个设备中每1000小时有1个有缺陷的设备相同。1000 x 1000 = 1000 000对吗？那不是它的工作原理！它不是线性的。一百万小时后，即使拥有一百万人口，您也可以完美地出错，而一千小时后，您将完全没有错误！MTTF计算考虑了可能影响产品可靠性的各种影响，并为每个影响附加了时间。然后使用统计方法对产品最终将何时失效进行预测。也可以看看 ”

（忘记有关MTBF的Wikipedia错误。是错误的。）

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费德里科（Federico）提出的问题是1 ppm是指设备还是细胞。数据表没有说，但我假设它是每百万个1个有缺陷的数据单元。为什么？如果是设备，则对于具有更大Flash大小的设备，您会得到更差的数字，1k与16k相同。同样，100年是极其漫长的。看到100万个设备中的999 999个仍在工作，我会感到惊讶。

图像在这里被无耻地偷了

这种类型的存储器将数据作为小电荷存储在绝缘的FET栅极上。这实质上将FET栅极保持在高电压或低电压。看同一件事的另一种方法是将1或0作为电压存储在连接到FET栅极的电容器上。

电荷存储不是永久性的。最终，足够的电荷将泄漏，从而无法再可靠地确定位的原始状态。较高的温度会使电荷更容易泄漏，这就是为什么在高温下数据保留规格会更短的原因。

至于ppm，是的是“百万分之一”。这是与百分比相同的概念，这只是表示百分数的另一种方式。100ppm = .01％= .0001

在稳定状态（以及许多其他uC）中，“永久”数据存储在闪存中-基本上是一种特殊的晶体管，可以“捕获”电荷（如电容器）。诀窍在于，没有“导线”连接到该电容器-因此它们唯一的充电或放电方式-是通过量子隧穿。这意味着它的放电确实非常慢，并且很难对其充电/放电（每次充电/放电都会损坏晶体管，这就是为什么它只能擦除10k的原因）。

放电速度由经验决定，您可以在数据表中看到它。

但这是“典型”值-您可能会获得更长和更低的数据保留时间-这可能会有些随机。没有确切的方法可以提前查明何时应删除数据。这就是为什么您在数据手册+估算中看到此近似值的原因，有多少器件将比该估算值更糟。