我并不是真正的电子专家，而是软件工程师（如果我问的是愚蠢的问题，请谅解）。
我正在尝试使用额定值为1.8V的微控制器GPIO输出。当此引脚变为高电平时，我要启用12V继电器。我正在使用Freetronics的N沟道MOSFET
MOSFET的规格可在此处找到。
出于某种原因，尽管指定的最小电压为1.5V，但1.8V似乎不足以驱动MOSFET。我尝试了使用1.5V AA电池的独立设置，但也无法使用。但是，如果我在相同的设置下施加3.3V，它就可以工作（只是这样您就可以知道我的接线是可以的）。
不幸的是我的微控制器（Intel Edison）只有1.8V GPIO。
我想念什么吗？我该如何工作？我应该使用其他MOSFET吗？如果是这样，哪一个？
非常感谢您的帮助。
Answers:
遗憾的是，此设置无法正常工作。如果仔细检查数据表，它会指出MOSFET的阈值电压保证在1.5V至2.5V之间，典型值为1.8V。
即使假设您很幸运，并且您有一个阈值为1.5V的标本（最适合您），这并不意味着MOSFET在其Vgs电压达到该值时就神奇地导通。这是使MOSFET几乎不能导通所需的最低电压：在数据手册的那一行中，您会注意到阈值电压的指定值为Id的不足250μA。该电流水平不足以可靠地操作普通继电器。
注意：（如@SpehroPefhany在评论中指出的），这些是25°C时的值。如果环境温度较低（例如，冬天，寒冷的气候，放置在冷室中的电路），则该Vgs的电流将更小，直到MOSFET预热！
要将MOSFET用作闭合开关，必须将其驱动到ON区域，尤其是在欧姆区域，即，输出特性中表现为（小值）电阻的那部分：
如您所见，所示曲线对应于较高的Vgs值（约2.8V或更高）。您可以通过查看Rds（on）图更好地理解该问题，即“开关的电阻”：
从右边的图表中，您可能会看到Rds（on）随电流变化不大，但是左边的图表讲述了另一个故事：如果将Vgs降低到〜4V以下，电阻会急剧增加。
总结：此MOSFET不能仅以1.8V导通。至少您应提供足够的Vgs以使其在最坏的情况下导通，即Vgs（TH）= 2.5V。您的3.3V实验证实了这一点。
@Lorenzo解释了为什么这对他不起作用，如果它起作用了，那将是微不足道的，这可能会更糟。
合适的MOSFET（AO3416）的规格如下所示：
通常，您应该使用Vgs（th）来确定MOSFET何时大部分关闭，并使用指定Rds（on）的电压来确定何时大部分打开。
数据表中的图2和图3如下所示。
请注意，在图2中，对于小于约2伏特的Vgs，漏极电流将接近于零，而对于3伏特的Vgs，通道将得到很好的增强。
这与您的实验一致，表明您需要在栅极上施加更多电压才能使电路正常工作，
图3显示了Rds（on）如何随着Vgs的下降而迅速上升到很高的值，即使Id为20安培，曲线的斜率在您的电路中也将相似，最终效果是当Vgs变得足够低时，与继电器线圈和直流电源串联的Rds（on）将上升到足够高的值，从而将通过继电器线圈的电流限制到无法激活的地步。
由于您不需要栅极驱动来确保Rds（on）足够低以允许继电器工作，因此可以说，最简单的解决方法是用豆形双极晶体管代替MOSFET并驱动晶体管的基极。晶体管通过带有1.8伏信号的电阻器。
其他答案很好地解释了为什么问题中的FET不起作用。我将专注于解决方案。
一种是使用为此目的而设计的FET。例如FDN327N。
另一种廉价，易于获取且可靠的解决方案是使用普通的NPN双极结型晶体管。
为了确定合适的电阻，请找到继电器的最小电阻Rlmin和12V电源的最大值（例如V12max = 13.6V），从而得出集电极中的最大电流Ic = V12max / Rlmin（将饱和电压作为工程裕度） 。求出该电流下处于饱和状态的NPN晶体管的最小增益（在合理的范围内而不是过于保守；严格来说，BC848C数据表仅保证饱和时的最小增益Gmin为20，但是C级5V的Vce 420分钟可能给我们足够的信心以使用G = 50。我们应该以基极为目标的最小电流为Ib = Ic / Gmin。然后，我们必须考虑最小电源电压V1_8min装置驱动DATA端口的，减去额定压差Vdrop时上下负载1b中，另一个0.75V左右当V数据端口的高侧FET的最大BE（ON）在Ic达到饱和，最大电阻为Rmax =（V1_8min-Vdrop-V BE（ON））/ Ib。
如果V1_8min-Vdrop-V BE（ON）为负，则我们需要对总和中的三个值进行较不保守的估计，这可以由较不保守（增加）的Gmin来帮助，该I减小Ib。
我们还必须确保DATA端口中的电流不超过其最大额定值（为此，我们必须考虑最大V1_8，最小高端压降和V BE）。如果超过该值，我们必须增加电阻，并证明不那么保守的估计值（尤其是对Gmin的估计值）。