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所有存储单元的级别均为0
或1
。CPU告诉存储设备它需要哪些二进制值的单元,并将该地址提供给存储设备。在存储设备内部,地址在行和列地址中解码,并且允许矩阵中该位置的单元将其数据获取到数据总线,即数据引脚。
假设我们有一个8位地址01100101
。这将分为行地址0110
(高位半字节)和列地址0101
(低位半字节)。该行地址选择了行#06,因此连接到该行的所有单元都将准备好数据。列地址选择该行第05列的单元,因此最终仅允许一个单元将其数据放置到输出引脚。
存储数据遵循相同的模式:仅选择一行,并且该行中给定列的单元将获取存储在引脚上的数据。
这是1位。该操作同时针对整个数据字宽进行,因此,如果您具有字节宽的存储器,则会检索8位并将其值放在8个数据总线引脚上。
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这张图片应该可以帮助您更好地了解事物:
这是DRAM阵列的一种表示形式,其中数据存储在电容器的电荷中,每个电容器为一位。地址的行部分(此处为A1..A0)选择一行,这意味着它们激活该行上的所有FET,以便该行的电容器的电平在其对应的列上可用。然后,由地址的另一部分A3..A2控制的列地址选择块选择我们要从中获取数据的一位。
DRAM易于构建,但有一个令人讨厌的缺点:读取数据会使电容器放电,从而丢失数据。为了解决这个问题,DRAM具有检测放大器,该放大器检测当前存储单元的状态并在读取时对其进行刷新。此外,必须定期执行此刷新操作,因为即使不读取内存,电容器的电荷也会泄漏掉。由于DRAM单元的紧凑性,可以轻松补偿对刷新电路的需求。
SRAM使用几个晶体管来存储数据,并且它不会像DRAM一样易失(尽管关闭电源后数据仍然消失了)。使用EEPROM和Flash,数据存储在FET的(绝缘)浮栅中,因此在断电时不会丢失数据。
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答案。