但是我认为如果损坏,没有办法重新安装系统软件
当然有。您认为他们首先如何将软件加载到设备上?
每个android设备都有两个内置的故障保险柜。首先,在恢复分区上存放着整个操作系统的副本。这就是让您对Android设备执行“还原”的功能。它实际上所做的是从NAND闪存地址空间中的受保护区域重新安装系统软件。在正常情况下,该恢复分区只能在制造商最初刷新设备时写入一次。有时,如果您安装更新,则它可能会更新恢复分区,但是NAND闪存的此部分上应该有个位数的P / E周期。
而且,如果某种方式损坏了它(除非您生根/刷新自定义恢复映像或其他“不支持”的东西),否则您仍然可以选择使用与最初刷新设备相同的方式进行选择。每个android设备都有一个引导加载程序。它存储在NAND设备的特殊引导加载程序部分中,通常会被写保护一次,并且只能被写入一次,并且位于闪存区域中,该区域具有某些最低规格,包括无坏扇区等。 。除了三星(我什至认为它都不制造汽车信息娱乐系统)之外,Android设备还将安装fastboot引导加载程序作为其引导加载程序。fastboot将允许您直接写入NAND闪存(受写保护的引导加载程序扇区除外)并重新安装所有内容。虽然,通常它只允许您安装签名的固件,该固件是该制造商提供的“官方”软件。XDA上几乎所有这些信息娱乐单元都有rom转储。
至于MLC NAND闪存的实际数据保留,您似乎在混淆两个不同的东西。SanDisk,JEDEC JESD218A,您链接的那篇论文以及101周的数据,在这里它们都不相关。那些在谈论积极使用的寿命。 与之类似,每天经历某个企业或客户的程序擦除周期的速率。一个经过长时间P / E循环的驱动器可以保留这么长时间的数据,但这与您在说的完全无关。
整篇文章都在讨论在延长误码率变得太高之前可以忍受多少P / E周期的情况下延长某件设备的寿命。这与您的信息娱乐设备的恢复和引导加载程序部分无关,因为它们没有经历任何 P / E周期。从理论上讲,当制造商刷新它们时,它们可能只会被写入一次。而且这并非偶然,工程师意识到闪存的局限性,并设计了相应的设备来解决这些局限性。因此,分区恢复部分和受保护的引导程序部分。
当谈论低P / E周期的闪存的绝对数据保留时,不管是哪种类型,它仍然使用隧道注入,无论是浮栅还是MLC,并且在低P / E周期中将具有相同的保留时间。尚未累积任何缺陷,但仍允许电荷相对于基本速率泄漏出去,因此,此时进行MLC并不重要。
例如,根据赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)的数据,一个小于50 P / E周期的2bpc(每个单元2位)MLC闪存具有与任何其他类型的闪存相同的数据保留:在55摄氏度下保持20年。实际上,它具有在55摄氏度下进行1000次P / E循环后的10年使用寿命,因此每3.7天擦除一次。但是,信息娱乐单元的恢复和引导加载程序部分几乎没有擦除,即使实际上不是0擦除。
而在较低温度下,此时间会更长。
如果您的汽车在32-33摄氏度(90华氏度)的高温下全天直接停在阳光下,则可能在几个小时内达到55摄氏度(131华氏度)的高温。
在低于55摄氏度的温度下,保留时间在室温下迅速延长到50年甚至100年。这是件好事,因为在这个星球上,您的汽车将经历夜间,并且每天的大部分时间都用在低于55摄氏度的内部环境中。在大多数地方,它将花费很少的时间来保持内部温度如55摄氏度
长话短说,您要描述的问题不是。在汽车上所有使用寿命有限的零件中,由于数据保留丢失而导致的软件(可刷新)或引导加载程序损坏是最后会失败的事情之一。与它无关,因为即使它发生了(即使在200,000英里之后也不会发生),也可以很容易地修复它。