从ROM或RAM执行程序哪个更快？

我们大多数来自电子领域的人都知道SRAM比DRAM快。但是，当比较RAM和ROM时，我不确定。

我的问题与微控制器有关：“如果代码直接从RAM / ROM执行，则其性能会更好-1）从RAM执行或2）从ROM执行或3）两者将表现相同”

还考虑到ROM被设计为具有更高的读取速度这一事实。而对于RAM，要具有写入功能就必须权衡读取速度。

数据手册应告诉您每条指令要花费多长时间，以及从RAM或ROM执行之间有什么区别（如果有）。

对于提供从RAM执行的选项的微控制器，速度可能更快，这很可能是使用额外的RAM空间从中执行代码的要点。可能还存在一些提取重叠问题。在某些情况下，从ROM执行可能会更快，因为它是单独的内存，并且RAM访问可以同时进行。

再次，了解任何特定微表的唯一方法是阅读数据表。

它完全取决于内存和CPU体系结构。根据经验，SRAM比闪存快，尤其是在高速MCU（> 100 MHz）上。SRAM位单元产生（或多或少）逻辑电平输出，而闪存必须经历较慢的电流感测过程。

再快多少（如果有的话）又取决于体系结构-存储器的字大小，每个存储器上的等待状态数，是否存在缓存，CPU指令的大小等。足够低的频率，闪存和RAM上的等待状态可能为零，因此它们可能以相同的速度运行。

该代码也很重要。如果您的代码严格是线性的（无分支），则闪存可以足够快地预取指令，即使在较高频率下，也可以保持CPU饱和。正如Olin所说，当代码和数据位于不同的存储器中时，具有单独的程序和数据读取路径的哈佛体系结构CPU可能会执行不同的操作。

金属ROM（以及其他非易失性存储器，例如FRAM）具有自己的特性，并且可能与SRAM一样快，也可能不与SRAM一样快。写作能力不一定会有所不同；更多有关位单元输出和感应电路的特性。

数据表将为您简要介绍一下速度差异，但是唯一可以确定的方法是分析代码。

“运行程序”需要具有同步时钟的CPU。可以通过以足够慢的时钟频率运行整个系统，或通过插入wait states（在获取和解码阶段之间不做任何操作的时钟周期）来容纳慢速存储器，仅在某些地址范围内有效（例如，参见古老的8085）。只要数据在建立/保持间隔内没有变化，CPU指令提取就不会确切知道或关心何时将数据稳定到其最终值。

微控制器通常将其所有内存都放在芯片上，因此，除非另有说明，否则我将假定内存系统均为零等待状态。（但请阅读数据表进行确认）。与台式机相比，典型的微控制器意味着更简单的单芯片解决方案，因此微控制器中的等待状态不太可能。因此，微控制器不太可能与片上存储器速度不匹配。

更快的内存通常会带来额外的费用（更高的电压，更低的电容，更多的需求）。80xx86在L2高速缓存中具有快速SRAM，在L1高速缓存中具有更快的SRAM，并且许多较慢的DRAM片外连接到存储器控制器。这种系统比微控制器复杂得多，并且超出了问题的范围。（但是计算机工程师非常感兴趣！）