确定MOSFET的开关速度
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从驱动电路的角度来看，栅极就像源极的电容器。它实际上也对漏极具有一定的电容，但这已在总栅极电荷图中考虑到了。您知道栅极必须改变的电压以及完成此过程必须转移的电荷。从那里可以很容易地计算出等效电容：Farads = Couloumbs / Volt。一旦有了电容，R * C时间常数就可以使您知道，在栅极电阻另一侧的阶跃输入下，栅极将以多快的速度摆摆。例如，要达到最终栅极电压的90％，需要2.3个时间常数。
当FET实际上“开关”时，就比较棘手。在特定的栅极电压下，FET不会突然从全关变为全开，但存在一个栅极电压，在该电压下，很小的增量变化将使FET输出特性的差异最大。您必须确定“开关”的实际开启和关闭程度，然后确定代表的栅极电压范围。然后，您可以使用等效的RC模型来确定阶跃输入将使其在该区域内摆动的速度。例如，如果您决定大多数切换发生在栅极电压的20％到80％之间，那将是1.4个时间常数。
当栅极电压稳定在阈值电压Vgsth时发生大部分的开关动作，此时漏极电压迅速下降，所谓的米勒效应将阈值保持在那里，直到漏极达到最小值：
（来自https://web.archive.org/web/20120324165247/http://www.ti.com/lit/ml/slup097/slup097.pdf）
仅举一个实际的例子，假设您有一个IRL540N，它是使用5V电源和100欧姆串联电阻驱动的。
栅极阈值指定为1至2V。这意味着栅极充电电流为30-40mA。规定的总栅极电荷为<74nC，因此您要说的最大开关时间为t = Qmax / Imin = 74nC / 30mA = 2.47usec。
为什么不使用零电阻的栅极电阻？
几个原因：
MOSFET中的寄生源极电感会引起高频振荡，或者至少是高度欠阻尼的导通
由于EMI的原因，您通常希望适当地调整开启时间。
在半桥栅极驱动器中，通常会使用一个与导通电阻并联的二极管，这样关断很快，但导通很慢。否则，出于超出本文范围的原因，您可以直击。（如果有时间，我将为此写一篇博客文章，并发布一个链接。）