基极-发射极电阻的目的是什么？

有人可以向我解释电阻器R2的用途吗？如果删除R2，电路将执行相同的结果，不是吗？

^{模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

R2用于防止浮基。如果2.8V未连接标记的节点，它将为它提供已定义的状态。这是一个弱下拉电阻。悬空引脚（未拉到已知状态）将像微型天线一样工作，可以悬空高电平或低电平多次，并随机打开和关闭晶体管。

如果一直驱动该节点（高电平或低电平），则R2是多余的，可以将其删除。如果该节点连接到例如微控制器gpio，并且可以进入高阻抗/输入状态（可能在启动时），则R2会使晶体管保持截止状态，直到微控制器进入输出模式为止。

如果晶体管实际上是Mosfet，则R2是一个小的漏极电阻。Mosfet的电容即使不耗尽也会保持导通。

许多晶体管允许从集电极到基极的少量泄漏电流。如果没有任何东西连接到晶体管的基极，则该电流会将基极-发射极结偏置到0.7伏，然后被晶体管放大，这样，沉入地面的泄漏电流总量就是发射极-基极的泄漏电流。乘以晶体管的电流增益。

添加R2为集电极基极泄漏提供了另一种途径。如果R2足够小，以使其两端的电压保持在0.7伏以下，则流过R2的电流仍将表示从集电极到地的泄漏，但不会被放大。

在某些应用中，泄漏电流的量-即使是放大的-可能也足够小而不会令人反感。但是，添加R2通常会将漏电流减少一个数量级以上。

正确地说，在那些节点处于这些电压的情况下，R2与打开Q1的难度几乎没有差别。

如果将R1驱动器替换为3uA（例如）而不是2.8v，则性能会大不相同。

作为练习，计算进入R1的电流

a）启动晶体管导通
b）使集电极电压（Vo）降至1伏（假设电流增益为100）

存在R2且省略R2。

正如尼尔·英国（Neil UK）所说，100K的R2不会对电路产生任何重大影响，实际上可能是10K，一切都很好。R2确实提供了有用的下拉功能，应留在电路中。考虑高增益晶体管和/或泄漏的PCB甚至电源拾波器，这些电容通常是静电的，因此具有高阻抗特性。