MOSFET开关-没有完全关闭吗？

我在protoboard上连接了以下电路。

BSS138 MOSFET的数据表在这里。我对该电路所发生的事情感到困惑-当我在栅极电阻上施加3.3V电压时，MOSFET完全导通，而在输出端看到3mV电压。当然，这是可以预期的。

但是，如果我从栅极电阻器上删除了3.3V，则下拉电阻器将关闭栅极。我希望在输出端看到大约3.3V，但我只能看到2.7V。如果我用5V代替R1上的3.3V，输出将显示为4V。换句话说，当MOSFET关断时，R1上将下降一个电压。这是预期的吗？不知何故，我希望MOSFET在关断时具有极大的电阻，因此在关断时会在其上下降大约5V。

我对这个MOSFET的期望不高吗？

测试1：通过。

测试2：漏极至源极Vf = 0.515V，源极至漏极= 0.09V，栅极至源极= 0.07V。

这很奇怪。请注意，我已经完成了多次测试。我总是得到一致的结果。我没有在任何地方看到过开放循环。这使我相信我确实在处理该MOSFET时将其破坏了。一位同事告诉我，他昨天从同一卷盘上销毁了另一个MOSFET。这使我进入测试4。

测试4：不完整。我现在在处理这些MOSFET时更加谨慎。我没有意识到设备越小，损坏它的可能性就越大。我以前曾经处理过MOSFET，但它们的尺寸要大得多：TO-220。我确实从家里带来了防静电腕带上班，但是我工作的房间没有接地端子（请注意！！）但我正在努力尽快获得固定的固定。我不认为我什至会去做任何事情，直到我正确接地为止。我还订购了防静电垫。这里的环境相当干燥，但是建筑物中的任何地方显然都没有地毯，更不用说房间了，这导致了我认为这是我的衣服还是我的办公桌。

我确保电路正常。我也已经由另一个人检查过，这让我觉得我还可以。

注意：这些只是您在第三世界国家中必须忍受的一些事情！幸运的是，至少建筑物具有接地连接。因此，进入我的房间并不难。

您的结果与预期的操作不一致。
要么您没有按照自己的意愿去做，要么MOSFET损坏了，或者您的测试仪的“每伏特欧姆数”很低。

Test1：通过-k探头将测试仪接地，并通过1 k至3V3将+ ve探头接地。
电压读数是多少？

这应该将3V3读得非常接近。
如果它不给或丢米，并得到更好的一个:-)。

在这种情况下，任何错误读取的仪表都是非常差的仪表，仅对电池测试有用。

Test2： 将仪表设置为二极管测试范围。
测量漏-源。
当Source = + ve时，您应该会看到Vf高于通常的硅二极管的二极管。
使用+ ve排水，您应该会看到O / C。
将metetr连接到GD和GS时，您应该断路。

测试3向Olin寻求建议。

测试4：仔细检查电路。
重新检查MOSFET的引脚排列。

尝试新的FET。

请注意，MOSFET非常容易受到ESD损坏-特别是对D或S的栅极。请
采取适当的静电预防措施。

回报。

我同意罗素。我认为最可能的答案是FET先前已损坏。泄漏过多是滥用的症状之一。例如，您是否曾经使用该FET来切换电感性负载而忘记在电感器两端放置一个捕获二极管？请记住，单个设备没有像整个芯片那样具有保护功能。栅极上即使有一点静电放电也会损坏FET。

FET很可能已损坏。如果您还有另一个，请尝试一下。
正如罗素所说，我建议检查下拉电阻是否正确连接。如果门是浮动的，则可能会看到这种行为。