最低的压降二极管

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我正在使用PCB上的调谐天线从NFC设备中收集能量。虽然这种方法我能够产生约3.05V。我想使用从NFC设备收集的功率为超级电容器充电。为此，我使用了此处提供的简单二极管电路（如下图1所示）。

我面临的问题是，在工作条件下，电路需要最低3V的电压才能运行，但是由于典型二极管的压降增加，我相信在各种情况下，生成的电压都会降至所需的3V以下。是否有可用的二极管具有低于0.01V的超低压降？甚至有可能吗？

请注意：

我的系统负载将小于5mA
产生的3.05V在电路中没有二极管

diodes energy-harvesting

— 用户名
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存在一个问题，即较低的正向电压将带来较大的反向泄漏电流。通过在肖特基二极管中选择不同的金属以及不同的半导体，可能可以将正向电压调至所需的最低水平。但是您很少看到Vf低于0.2V。这大概是获得有用整流的极限。

— Photon

我怕这个。除非有些切肉刀的人可以提出解决方案，否则我可能生病了，必须使用某种超高效升压转换器

— user3095420

图为太阳能电池。但是实际上您正在使用某种RFID东西，对吗？共振频率是多少？

— mkeith '16

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也许只使用一个小的铁氧体磁心变压器和整流器。

— mkeith '16

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是。这就是为什么在变压器之后添加整流器的原因。要将交流电整流为直流电。我不确定是否会奏效。必须选择添加到天线上的任何负载，以最大程度地提高功率传输，同时又不破坏谐振。

— mkeith '16

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在这种情况下可以使用理想的二极管控制器和MOSFET-最终效果是Iload * Rds（on）压降二极管的效果。可能最简单的应用是Linear的LTC4412。

专用的超级电容器充电器IC也可能会解决该问题，但需要仔细的规范。

— 三相鳗鱼
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尽管需要我对我的电路板布局进行重大修改，但该解决方案看起来仍然可行。在这个时间点上可能是我唯一的选择。

— user3095420's

LTC4412将由整流后的AC供电，而DC达到2.5 V，但您从那里去哪里-应用于P通道器件的13.56 MHz根本无法作为低压降峰值整流器工作。

— 安迪（aka Andy）

@Andyaka-此处的查询者似乎有些困惑-如果您可以与他一起解决这个问题，那将会有所帮助。

— ThreePhaseEel

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你什么时候成为我的经理人？

— 安迪（aka Andy）

@Andyaka-我很抱歉，如果您认为这只是建议而已。

— ThreePhaseEel

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查看德州仪器（TI）的SM74611智能旁路二极管。

正向电压：
Vf [V] = 26mV @ 8A，Tj = 25°C

其他选择：

Microsemi的LX2400冷旁路开关（CBS）

典型正向电压
VF = 50mV @ 10A，Tamb = 85°C

STMicroelectronics的SPV1001冷旁路开关（CBS）

Vf [V] = 120mV @ 8A，Tj = 25°C
Vf [V] = 270mV @ 8A，Tj = 125°C

二极管SBR30U30CT超级势垒整流器

Vf [V] = 190mV @ 2.5A，125°C
Vf [V] = 250mV @ 5A，125°C

— 网络庞克
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如果在天线线圈上增加几匝导线，可能会获得较高的电压和较低的电流，因此可以使用肖特基二极管。阻抗匹配对于收集射频能量非常重要。一些铁氧体磁芯也可以提供帮助，因为它将捕获更多的能量。在13 MHz下切换同步Mosfet整流器所需的能量可能比收集的能量更多。

— 克鲁夫拉
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MOSFET比任何二极管都要好，如果有足够的直流电压来驱动栅极，则可以使用MOSFET。在低电流下，该MOSFET既便宜又小。如果您没有合适的栅极电压，那么还有其他选择：

锗二极管的降幅小于Si肖特基二极管。
理论上说，Ge Schottky会更好，但我还没有看到这样的装置。
我没有使用过一种叫做“反向二极管”的设备，但是它的性能很好。

否则，有些方案会使用在非常低的电压下运行的耗尽模式器件。当涉及耗尽模式时，比Mosfets容易找到J FET。

— 自闭症
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我最近在BLE器件上遇到了类似的问题，最终选择了MAX40200“超微功耗，具有超低压降的1A理想二极管”。规格可以在这里看到：

https://www.maximintegrated.com/zh/products/analog/amplifiers/MAX40200.html

— MV
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