多指与单指布局(MOSFET晶体管)


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请总结一下多指(MF)与单指的晶体管布局的优缺点

在EDA工具中布置具有特定宽度和长度的MOSFET时,关于栅极形状,有两种选择:

1)单条纹(经典情况)(一根手指);
2)几个条纹(几个手指)。

假设(基于各种Internet论坛):

1)MF为高W / L或L / W的晶体管的布局规划提供了更大的灵活性。换句话说,允许使布局更像正方形。

2)MF 在需要时可以更好地匹配晶体管。例如,如果使用普通质心技术。

3)MF布局减小了栅极电阻(对于AC)。如果是这样,您能解释为什么吗?

4)如果存在技术限制,则MF会降低栅极中的电流密度

有知识的人可以比较这两种方法吗?

图1:一根手指

图1:一根手指。

在此处输入图片说明

图2:两个手指。两个并联的晶体管(宽度相加)。

在此处输入图片说明

图3:两个手指。两个串联的晶体管(加长)。


谢谢,伙计们。至于栅极电阻的减小,我已经在论坛上阅读过。他们说,这是由于多根手指的并联电阻引起的。但是我认为这是错误的,因为每个门的电阻都增加(长度变小),总值应该保持不变。我猜想,对于高频,这可能是由于集肤效应(总表面积下降)引起的,但不确定。
谢尔盖·戈尔科科夫

在Internet上也可以读到,手指的数量取决于通过多晶硅栅极的最大电流密度。但是同样,不确定。
Sergei Gorbikov '16

Answers:


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长晶体管由于各种原因被分成较小的晶体管。原因之一可能是使它们更好地适合块的整体布局,或者只是具有更好的宽高比。另一个原因是减小器件的栅极电阻。问题在于栅极-沟道电容随着栅极电阻形成低通,并且开关速度降低。另外,由于两个指共享一个共用的漏极,所以减少了漏极面积,因此也减少了寄生效应。

更新:将具有一些W / L的晶体管拆分为具有多个分支的晶体管,以使宽度(W)保持不变,分支的长度为L / k,其中k是分支的总数。有效的长度和宽度保持不变,但是栅极现在是平行的,因此电阻减小了。另外,栅极经常在两端接触以减小有效电阻。

分离晶体管可以通过使用具有单个栅极的多个晶体管或具有多个栅极指的晶体管来完成。

多指晶体管的缺点是两个相邻指的电流方向不同。例如,如果第一个手指的源在左边,那么下一个手指的源在右边。晶体管的特性可以根据电流方向而改变。因此,在尝试实现良好匹配时必须格外小心。

由于性质略有不同,例如在电流镜中使用多个指状件来获得按比例缩放的电流源也被认为不如具有多个单栅极晶体管。

因此,模拟设计师必须决定哪个选项最适合给定问题。


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谢谢哥们儿。好的答案,很多见识。如果您可以在1上给出更多的颜色,将不胜感激:为什么总栅极电阻降低了?记住公式R = r * L / W。当一个人将门分割成更细的手指时,每个手指的电阻都会增加。那么,N个平行手指(每个电阻都较高)的最终结果是相同的电阻,不是吗?2)为什么每个手指的电流方向不同?哪些特性会根据闸指中的电流方向而变化?10倍 很抱歉仔细检查您的答案。
谢尔盖·戈尔科科夫

@Sergei Gorbikov-看到我的更新。
马里奥

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非常好的更新。Re 1)我以为门中的交流电流沿垂直轴飞行(错:),但实际上它是沿水平方向(在S和D之间)流动的,因此,实际上,一根手指的电阻在分裂后并没有降低。重新2)现在清除了10倍。如果没有其他人提供更多答案,则将在一天内标记为已解决。再次感谢。
谢尔盖·戈尔科科夫

这个方向依存性有名字吗?
DKNguyen
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