为什么bjt方程中不存在Vbc？

在BJT偏置中，计算中始终存在电压Vbe和Vce。是因为集电极，基极和发射极之一接地还是由于任何其他有关半导体理论的原因，所以方程式中没有电压Vbc吗？

您的标题断言不正确。但是我可以猜出它来自哪里。

大多数人使用完成工作所需的最简单的概念。他们担心正向电压，该电压在某种程度上受到集电极电流的影响，而受温度的影响很大。因此，这一点很重要……而与BJT是否直接相关。是否饱和，这会影响有关可用，可能的耗散和工作温度等非常基本的问题，这也非常重要。此外，如果您知道和那么您就会知道。您可能也会对此感兴趣。例如，早期效果……但这是次要的。$V_{BE}$$V_{CE}$$\beta$$V_{BE}$$V_{CE}$$V_{BC}$

但是无论如何，你错了。要学习的第一个晶体管模型是Ebers-Moll模型。它的1级模型包括三种不同的查看BJT的方法：传输，注入和Hybrid-pi。它们是等效的视图，但是它们具有易于应用的不同区域。

首先让我们看一下注入模型（将其自身指向二极管电流）：

• $I_F = I_{ES} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_R = I_{CS} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_C = \alpha_F \cdot I_F - I_R$
• $I_B = \left( 1 - \alpha_F \right) \cdot I_F + \left( 1 - \alpha_R \right) \cdot I_R$
• $I_E = -I_F + \alpha_R \cdot I_R$

现在，传输版本（寻址到收集的电流）：

• $I_{CC} = I_S \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_{EC} = I_S \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_C = I_{CC} + \left[ -\frac{1}{\alpha_R} \right] \cdot I_{EC}$
• $I_B = \left[ \frac{1}{\alpha_F} - 1 \right] \cdot I_{CC} + \left[ \frac{1}{\alpha_R} - 1 \right] \cdot I_{EC}$
• $I_E = \left[ -\frac{1}{\alpha_F} \right] \cdot I_{CC} + I_{EC}$

最后，非线性混合信号（很好，因为在小信号情况下将其线性化会直接导致众所周知的线性小信号混合信号模型）： $\pi$$\pi$

• $\frac{I_{CC}}{\beta_F} = \frac{I_S}{\beta_F} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $\frac{I_{EC}}{\beta_R} = \frac{I_S}{\beta_R} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_{CT} = I_{CC} - I_{EC}, \rm{(generator \,\, current)}$
• $I_C = \left( I_{CC} - I_{EC} \right) - \frac{I_{EC}}{\beta_R}$
• $I_B = \frac{I_{CC}}{\beta_F} + \frac{I_{EC}}{\beta_R}$
• $I_E = -\frac{I_{CC}}{\beta_F} - \left( I_{CC} - I_{EC} \right)$

正如您现在可以轻松看到的那样，在最基本的第一级BJT建模中非常突出。而且不止于此。它存在于EM1（从DC角度来看），EM2（更精确的DC，每条引线中带有3个新的恒定值电阻器，电荷和频率的一阶建模电荷存储和时间），EM3（基宽调制-早期效应，正向电流增益的变化）具有集电极电流，其他DC和AC改进等），Gummel-Poon（基宽mod和$V_{BC}$$\beta$与I，交流电以及环境温度的变化等），这些版本的修改版本，甚至是最新型号。您甚至还没有接触过BJT建模的第一级。就这样。这是因为对于许多（如果不是大多数）需求，您可以进一步简化基本的BJT EM1模型，并忽略很多，仍然可以。

完全公开：上面显示的三张图片直接取自Ian Getreau的“ Modeling the Bipolar Transistor”，该文档最初由Ian于1974年左右编写，当时是Tektronix的一名雇员（当时有Tektronix的“ STS” [半导体测试系统]） 1979年，当我开始担任Tektronix员工时，我收到了第一本书。此后，伊恩（Ian）从泰克（Tektronix）处获得了版权（2009年），并通过露露（Lulu）重新发布。因此，今天仍然可用。[我从没见过伊恩，也没有从伊恩那里得到任何出售书目的或任何其他原因的东西。但是我确实帮助他重新出版了这本书，因为这本书是独一无二的，需要再次发行。