Answers:
您所说的与旧的EEPROM和NOR闪存更相似,其中擦除过程主要包括注入相同数量的相反电荷。问题在于,取消必须真正准确,否则的风险是不能完全放电门或以相反的值充电。
Flash NAND存储器使用隧道释放原理,(如果我记得很好的话)基本上在于使电荷从浮栅流向有源区之一,从而避免了注入其他电荷的风险。
可能还不清楚,但是它不以相反的电压放电的原因是因为使用NAND闪存时,就像使用电容器一样,您会给浮栅放电,只是让电荷流走了。其他技术则需要注入相反的电荷。
(请谨慎选择此答案,虽然答案并不完全准确,但是基于我在课程中所记得的内容……当我再次获得材料时,会给您一个更准确的答案)