背对背MOSFET：共源漏还是共漏？

如果将一对分立的MOSFET背对背连接以创建双向负载开关，那么将它们的共源极与共漏极之间的实际区别是什么？

在这种特殊情况下，我使用一对p-ch FET将电池与负载隔离，并且还确保关闭时负载中的存储电荷不会返回电池。我有一个3V6电池，因此逻辑电平FET可以正常工作。如果我有共同的消息来源，PCB布线效果最好，但是我在文献中已经看到了两种配置。

我想在一个集成设备中，有充分的理由选择一个，而不是另一个，因为普通的体硅很可能会影响选择。但是对于分立器件，只要栅极驱动电压超过体二极管的正向压降以及Vgth，似乎并没有明显的理由选择一个。

那么，是否有理由专门选择这些配置之一？

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给定基本条件：电源大于FET Vgth加上体二极管正向压降；那么任一电路都可以正常工作。但是，仿真表明，共源布置有一些好处，因为开关转换速度更快，因此FET中浪费的功率更少。

如果您需要从一个公共信号驱动两个MOSFET，则必须将源极连接在一起，否则体二极管会阻止您将其关闭。每个MOSFET都有一个与漏极和源极并联的二极管。

栅极驱动器需要在公共源极和公共栅极之间施加浮置源极。或有足够的摆幅以保证输入信号整个摆幅有足够的偏置。最大Vgs通常会禁止这种方法。

我相信凯文·怀特（Kevin White）的答案部分上是错误的（部分原因是我最初的想法！以及显示N通道的烦恼）。如果栅极未参考浮动源，则这两种方法均不起作用，除非栅极可以到达信号的极值（由于二极管）。无论哪种方式，都可以使用该限制。

在凯文（Kevin）指出的常见电源情况下，将栅极引至浮动电源即可切换正电压或负电压，而不受Vgs的限制

如果门极指向左侧（公共端），那么很明显，在公共源极情况下，如果负载更负，则Vgate必须小于S3 / 4，这仅是从公共端跌落的一个二极管。开启，然后> = Common关闭。如果源极为正，则Vgate必须小于Common才能开启，但> = S3 / 4，这是从Source下降一个二极管。

在共漏情况下，如果负载为负值，则Vgate必须小于负载才能打开，而> =共通才能关闭。如果“源”为正，则Vgate必须为<Common才能打开，而> = Source即可关闭。

假设Common只能在负载和源之间摆动，则在任一配置中，Vgate必须能够从源摆动到Load-G（thres）。除了在共用漏极情况下两个FET可以共享一个散热片这一事实外，我看不出有任何理由推荐它。