“ dV / dt”对可控硅有何意义？

这可能很明显，但是由于我仍然没有接受工程教育，所以遇到了这个问题：

这是什么的dV / dt是什么意思？它对可控硅有什么影响？

当双向可控硅两端的电流降到（保持电流）以下时，双向可控硅停止导通。在纯电阻负载下，这会发生在正弦波周期的最后，电压和电流同相。当负载具有电感性组件（例如电动机）时，电流和电压之间会存在滞后。当电流降至I H以下时，电压已经以相反的极性上升。因此，当三端双向可控硅开关元件断开时，三端双向可控硅开关元件上的dV / dt很大-“立即切断电压”。这种情况会导致自触发三端双向可控硅开关元件，并开始不受控制地导通。补救措施是使用缓冲电路，即与双向可控硅并联的RC。 $I_H$$I_H$

dV / dt是电压相对于时间的导数。换句话说，它是电压变化（δV或ΔV）除以时间变化（δt或Δt）或电压随时间变化的速率。

$y = x^2$

$\Delta y/\Delta x$

考虑到无穷小的变化，数学上将其“重命名”为dy / dx。甚至可以通过在原始公式中添加dy和dx来代数证明：-

$y + dy = (x + dx)^2$

$y + dy = x^2 +2xdx +dx^2$

$x^2$

$dy = 2xdx + dx^2$

$dx$$dx^2$

$\dfrac{dy}{dx} = 2x$

$y = x^2$

电压随时间变化为dv / dt。对于三端双向可控硅开关元件和mosfet而言，它具有重要意义，如果电压随时间的变化率太大，则可能导致此类设备触发或部分激活。

$\frac{\Delta v}{\Delta t}$

但这与TRIAC有什么关系？如果整个设备的dv / dt高，则可控硅（Triac），如晶闸管/ SCR可以重新选通

http://class.ece.iastate.edu/ee330/miscHandouts/AN_GOLDEN_RULES.pdf

当驱动高电抗性负载时，负载电压和电流波形之间存在相当大的相移时，最有可能发生这种情况。当负载电流流过零时，双向可控硅整流时，由于相移，电压将不为零（见图6）。然后突然需要双向可控硅来阻断该电压。如果换向电压的变化率超过允许的dVCOM / dt，则它会迫使双向可控硅重新导通。这是因为移动电荷载流子没有时间清除结。

Dv / dt是注入到双向可控硅内部的电荷（硅）的表达式。当我们进行增量更改并查看会发生什么时，能量机制Q = C * V变为dQ / dT = C * dV / dT + V * dC / dT。选择忽略第二部分，并识别出电流= dQ / dT之后，我们剩下

因此，我们发现高电压变化率将触发双向可控硅。

dV / dT的电荷注入还会使FET面临风险。除非有足够的源接触和井接触，否则充电将追寻所有可能的路径；电流挤入触点可能会导致I * R压降大到足以打开寄生双极的发射极-基极结，在这种情况下，双极会增加电流。在许多情况下，这会带来增益> 1的正反馈，并且FET /双极性试图将整个VDD电荷存储网络放电至零电压。仅此尝试，硅和铝就会熔化。

如何避免？设计源极和阱触点用于瞬态充电任务，而不仅仅是用于直流泄漏控制。

这是在瞬态条件下（每纳秒1伏特）注入电荷的高电压的显微照片，该电荷然后聚集在Well Contact周围。