我纯粹出于好奇而感到奇怪。如果我们通过施加非常高的反向电压使LED在雪崩模式下偏振(但保持较低的电流,以使组件不会油炸),那么使用这种方法时是否也可能发光?
(我之所以不“尝试一下”是因为涉及到高电压)。
我纯粹出于好奇而感到奇怪。如果我们通过施加非常高的反向电压使LED在雪崩模式下偏振(但保持较低的电流,以使组件不会油炸),那么使用这种方法时是否也可能发光?
(我之所以不“尝试一下”是因为涉及到高电压)。
Answers:
我会说:一般来说,不是这样。
LED型设备中的发光通常在电子和空穴复合时发生,并且在此过程中释放的能量转换为具有最终波长的光子。这发生在掺杂半导体结的过渡区中,在该过渡区中,带结构存在梯度。
让我们想象一个反向偏置的二极管:在上述过渡区中,几乎没有自由电荷载流子(没有空穴和电子),因此该器件将是理想的隔离器–我说,如果不是自发创建此类载流子对,则“会”由于热效应(以及光子吸收之类的东西)而发生这种情况。
现在,在雪崩击穿条件下,跨过该隔离区的电场是如此之高,以至于电荷载流子被非常快速地加速-并可能“敲除”非导电带中的其他电荷(使这种感觉更加科学:电场使自发产生的电荷具有足够的冲动,足以将k空间中的其他电荷过渡到导带。
现在,这些电荷将仅传播到接触区域并在那里进行复合-通常在以下任何地方都没有:a)明确定义的能隙使可见光子的发射变得可能,以及b)没有光学结构耦合出该光。您只需加热基材即可。
这并不是说所有这些都不会产生光发射:纯粹从随机的角度来看,可能会发生与可见光发射的重新组合,而且也没有说在雪崩击穿的时间过程中会发生“有时,整个场配置不会导致有趣的能带图,在这些能带图中,可能会在与LED设计时完全不同的光子能量下在LED的光学相关部分内发生重组。
首先,我认为不会,但令人惊讶的是,我发现了: 雪崩模式超结发光二极管
因此,您想做的事在理论上得到了支持。但是为此,您必须制造特殊的二极管。我认为普通的常规二极管不会起作用。祝你好运。自己做实验并学习。
我的研究是在同一主题上,而我是上述雪崩模式超结LED的作者。如果有兴趣,可以阅读以下其他文章。
http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4931056
http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=2601523
1970年代小时候,我从一个过剩的卖家那里购买了一个大型的TO-60 IR LED。它配备了一个放大器,您可以通过眼睛看到暗红色的光芒。然后,即使不使用适当的串联电阻,也由于不小心将其向后连接,立即杀死了它。它在低于12V的某处击穿,芯片表面上可见电极的边缘发出宽带(白)光。
某种雪崩模式荧光?没有颜色或IR,但发白光。它的运行电压远远高于1.1V。