为什么有这么多MOSFET漏极的引脚？

所述FDC855N是在一个6引脚封装，其中4连接至漏极，并且只有1到源极。为什么会有这种差异？源极看到的电流与漏极相同，不是吗？

那不是为了大电流，而是为了热量管理。

单个源极引脚可以处理电流，单个漏极引脚也可以。示意性地，MOSFET通常是对称绘制的，因为这样可以更容易地显示通道电导率的不对称性。

但是分立的MOSFET并非以这种方式构造。更像这样：

它的封装可能会上下颠倒，大部分漏极连接到直接连接到4引脚的引线框架。栅极和源极将绑定到其引脚。
MOSFET的大部分将散发最多的热量，并且由于它与引脚直接接触，因此热量可以通过引脚散发，这是一条低热阻的路径。为了正确的电气连接，漏极也仍可以通过引线键合。但是键合线将散发更少的热量。传导（与PCB铜的传导）的
热阻远低于对流（与封装上方的空气进行热交换的方式）。我发现以下有关Luxeon电源LED的建议焊盘布局。他们声称它可以轻松达到7K / W。

在必须散发一定热量的SMT功率MOSFET中，建议将漏极引脚放在较大的铜板上，或者允许热量通过一系列（填充的）通孔散发，例如Luxeon LED。

这将是出于冷却目的-您会在第2页的底部注意到它们很重要，它们指出引脚的铜连接方式会改变热特性。大部分热量通过引脚而不是封装散发。

这很常见-IRFD9024有两个用于漏极的引脚，并明确提到“双漏极用作与安装表面的热连接，以达到1 W的功耗”

这对于HEXFET和PowerTrench功率MOSFET尤其常见，因为漏极连接到基板的大部分，而源极是顶部的金属层。漏极与基板的热耦合更紧密，因此更好地散热。

与其他地方使用的平面或横向MOS相比，大多数功率MOSFET被归类为垂直扩散MOS。这主要是因为要最大程度地提高电流承载能力，您需要一个非常长而狭窄的通道，而使用教科书对称MOSFET很难做到这一点。例外情况是为音频放大器设计的功率MOSFET-它们是横向MOS，通常会发现它们通常是散热的。