我可以采用假冒产品吗？

我最近从中国一家制造商那里收到了10块PCB，我担心它们已经开始偷工减料并采购假冒零件。原因如下：

我让他们进行了完整的交钥匙生产（PCB Fab，组件采购，组装）。我过去曾经使用过它们，尽管偶尔会出现错误，但它们一直都很好。

我注意到在4/10板上，下面的电路表现不正常：

^{模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

在故障板上，我们预计Q3 + Q5的栅极电压为〜0 V（如果NOR输出= 1（5V））或〜12 V（如果NOR输出= 0（GND）），则栅极电压为3-7 V的任何地方...

这就是为什么我怀疑这些部分的原因：

1. 我们已经在同一制造商的PCB的先前迭代中使用了这种确切的电路，但是还没有看到这个问题。只有更改是PCB布局中的细微差别。
2. 在我手动拆除了Q1，Q3和Q5，并用Digikey提供的零件替换了它们之后，电路按预期运行。我在3个板上完成了此操作，所有3个板都从不工作变为工作。

下面给出了相关的NPN + PMOS零件号，这是数据表链接： DMP3010 MBT2222

另外，如果电路上看起来有些根本性的问题，我会全神贯注的。但这是一种非常普通，简单的电路，并且正如我在先前的迭代中所使用的那样，没有问题。

您必须证明零件不好。静电可能会损坏它们。

如果只拉Q5或Q3并测量V（Q1-C），那将是孤立的问题所在。然后确认R1为10k，而不是10M或其他。

设计的唯一缺点是电路关闭速度很慢，并且负载电抗未知。

通常，任何FET （例如，在VGS = -10V时额定值为8m的这种 FET ）都由大约1000倍的栅极驱动器电阻 （数据手册中使用的8Ω ）驱动，但您的R1 / RdsOn比率约为1000万。这会使其缓慢并易于因布局而对栅极电压产生杂散电感/电容反馈而产生振荡。

• 同样，您将〜（4V-0.7）/1k=3.3mA置于基极，并能够将>> 100mA驱动至栅极电容Ciss，直到Vce饱和。但是，要关闭的上拉电阻仅为12V / 10k = 1.2mA，这会导致杂散的关闭行为。更多的设计余量最多将1k用于R1。

结论：

按上述方法测试FET的ESD损坏，栅极泄漏。降低R1。

没有关于是否/何时发生ESD损害的假设。

关于克隆零件的文章。

http://www.sae.org/aaqg/audit_information/2010/Atlanta/Impact%20of%20Counterfeit%20Parts%20NASA.pdf

我怀疑他们可能已将具有低压栅极保护齐纳二极管的MOSFET替换为DI部件。没有动机来支持Q1，它们在中国非常便宜，任何类似的零件也可以使用。另一方面，MOSFET是昂贵的。

您的电路关断缓慢，因此如果负载为低阻抗，可能会给MOSFET带来很大的压力，但这不太可能引起观察到的影响（尽管在某些情况下可以想象得到）。

如果您还有其他行为不当的董事会，如果您想检验我的理论，请尝试换掉Q3。您也可以与DI取得零件标记的高质量照片，并与他们联系，询问它们是否与在世界各地出售的零件相匹配。当然，您可以将它们与通过分销购买的零件进行视觉比较，但通常使用多种包装设施，并且标记可能会有所不同，尤其是（但不仅限于）日期代码非常不同，因此差异并不确定。如果它们看上去（在批判眼中）完全相同，包括在传递模塑件上的标记，字体和小特征的方法，则可以很好地表明这些零件来自同一工厂。

他们可能以如此之少的数量派人到了市场（在深圳华强北路），并从许多零售供应商之一那里获得了任何零件。如果您想百分百确定，请发送自己的零件给他们，尤其是数量有限的时候。

我敢打赌您确实有零件问题，但是该问题很可能是由于您的MBT2222引起的。广泛使用的通用N2222a晶体管很可能会被交换，并且由数百家知道什么规格的制造商制造。