该电路理论上很好。
需要改进实践。
在所有带有感性负载的电路中,添加一个说12V(> Vgate_drive)的栅源齐纳二极管确实是一个好主意。这样可防止在漏极电压发生意外或极端变化时,通过耦合至漏极的“密勒电容”将栅极破坏性地驱动为高电平。
将齐纳二极管安装在靠近MOSFET的位置。
将阳极连接至源极,将阴极连接至栅极,以使齐纳二极管通常不导通。
10k栅极驱动电阻(如图所示)很大,会导致缓慢的关断和导通以及MOSFET的更多功耗。在这里这可能不是问题。
在该应用中,所选择的MOSFET非常有限。
Digikey现有的更好的MOSFET包括:
对于26c / 10 Digikey IRLML6346 SOT23 pkg,30V,3.4A,0.06欧姆,Vgsth = 1.1V =栅极阈值电压。
NDT3055 48c / 10 TO251带引线60V,12A,0.1 Ohm,Vgsth = 2V
RFD14N05 71c / 10 TO220 50V,14A,0.1 Ohm,2V Vgsth。
添加
适用于3V栅极驱动的MOSFET:
系统只是看不上我再回答:-(所以- MOSFET必须有不超过2V工作Vth时(阈值电压)正确地与3V3电源控制器。
建议FETS没有满足这个要求。
他们可以在一个时尚后工作当前的负载,但驱动不足,损耗太大,解决方案不能很好地扩展到更大的负载
,似乎相关尺寸范围内的IRF FETS的Vth(Vgsth)<= 2伏,除了IRF3708以外,所有的4位数字代码均以7开头。 。
OK FET包括IRFxxxx,其中xxxx = 3708 6607 7201 6321 7326 7342 7353 7403 7406 7416 7455 7463 7468 7470
会有其他人提出,但所有建议的似乎都具有Vth = 4V或5V,并且在该应用中几乎没有,甚至更差。
Vgsth或Vth必须至少比实际栅极驱动电压小一伏,理想情况下要小几伏。