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并不是说NAND不可靠(尽管它不那么可靠),事实是它们在访问方式和读/写速度上的差异是不同类型的内存。因此,它们可用于不同的应用程序。
NOR的主要优势在于它是随机访问,这使得可以使用它来运行代码。它具有完整的地址和数据总线,因此您可以寻址任何位置并立即进行读/写操作(写操作当然假定该地址为空)。
您可以通过以下方式读取/写入NAND:通过其小型I / O接口设置地址,然后以每次读取或写入时地址自动递增的方式读取或写入数据。这使其非常适合写入或读取数据或文件流。NAND的写入速度比NOR快。例如,当您在相机上写入图像时,这种快速的写入速度特别有用。当然,NAND的密度更高,例如用于存储数据的应用。
编辑:在马库斯的问题之后。
之所以有这种访问方式,是因为MOSFET在IC中的物理组织方式。要从维基百科借一点:
在NOR闪存中,每个单元的一端直接接地,另一端直接连接到位线。这种布置称为“ NOR闪存”,因为它的作用类似于NOR门。
每个单元的一端都连接到位线这一事实意味着它们(因此每个位)都可以被随机访问。
NAND闪存也使用浮栅晶体管,但是它们的连接方式类似于NAND门:几个晶体管串联连接,只有在所有字线都被拉高的情况下,位线才被拉低(在晶体管的上方VT)。
这意味着必须同时访问字中的每个位。
NOR单元存储器的设计允许以任意顺序独立地对位进行编程(写入“ 0”),而不会产生干扰其他位的风险。一些基于NOR单元的内存阵列使用经过纠错的内存块,这些内存块必须以一定大小(例如32位)的块写入,而不是一次写入一个字节甚至一个字节,但这仍然使得写许多小块存储器变得可行。数据块独立地放在同一块中,而不必重新定位数据并擦除旧块。
相比之下,许多NAND闪存设备要求在擦除整个页面之前,最多使用两个离散操作写入每一页数据。如果要重复将数据添加到同一页,则每个此类操作都需要一个页面的复制和擦除周期(也许可以优化某些操作,以便在每个周期之后仅使用复制和擦除,但是使用NOR闪存时,可能需要管理1000个小写操作)每个复制/擦除周期的更新)。