12V DC至5V DC转换器

我从互联网上获得了这条电路。我不知道为什么在此电路中安装电容器。有人可以告诉我这些电容器的原因。

suha说要稳定电压，但C3实际上是为了稳定调节器的控制回路。是控制回路而不是电容器产生稳定的输出电压。大多数稳压器，尤其是LDO，都需要C3来防止振荡。 ESR（等效串联电阻）至关重要。

该文档中的图表显示，对于给定的稳压器，需要一个ESR为1的电容器。该文件显示了在150 mA负载下，ESR电容器过低会引起振荡。

调节器的控制环路使其具有一定的响应时间，因此突然的负载变化可能会导致在调节器做出反应之前输出电压出现短暂的下降。C2充当了捕获这些快速更改的缓冲区。

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史蒂文（Steven）解释了C3的用途，但该电路在输入端缺少等效电路。问题在于，C1和C2都是大电容，可能具有较差的高速响应和一些ESR（等效串联电阻）。这对于大容量存储来说是很好的，但对于提供突然的大电流浪涌来说并不是很好。注意，时域中的“突然”与频域中的“高频”相同。

也许78L05具有较高的ESR输入上限是稳定的，但这通常不是一个好主意。大多数数据表建议您在物理上靠近稳压器的输入和输出端放置一个较低的ESR上限。陶瓷盖可以很好地满足标准，但陶瓷盖却不能像电解盖那样大。这就是为什么您有时会看到一个大的极化帽与一个小得多的极化帽并联的原因，例如本电路中的C2和C3。

如今，对于像78L05这样的低ESR电容而言，100 nF是愚蠢的。很久以前，这是您无需支付更多费用就可以获得的最大陶瓷瓶盖。如今，在低电压下容易获得1 µF甚至10 µF是合理的成本。我会在稳压器的输入和输出端都放一个1 µF的陶瓷，其物理位置应尽可能靠近，并有短而直接的走线到稳压器引脚。

100 nF的频率响应仍然比1 µF更好，但是今天甚至1 µF也比该电路可能设计的20年前领先的100 nF好。当您的频率超过100 MHz左右时，您必须仔细查看这些内容。例如，我曾经在RF应用中使用100 pF电容的特定模型，因为在各种较高值的电容中，它在RF频率下具有最低的有效阻抗。但是，这是一个特殊问题。对于78L05稳压器之类的东西，只需使用1 µF陶瓷即可。

它们用于过滤噪声和稳定电压。C1过滤输入，C2和C3改善稳定性和瞬态响应。