为什么我的NPN基地关闭这么慢？

下面的电路尽可能简单，但是却不像我期望的那样。V3是进入晶体管基极的3.3Vpp方波，因此我希望看到当V3为低时V_Out为高，反之亦然。基本上是一个反相电路。

更重要的是，我希望该电路足够快以跟上400 kHz方波的速度。2222的输入端可能有25 pf的电容，这给R2提供了25 ns的时间常数。

^{模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

但是在仿真中，我看到V_Base在V_In的下降沿上花了一些时间作出反应：

不幸的是，这似乎使V_Out的开启时间比我想要的更长。请参见针对V_out绘制的V_In（请牢记反转）：

我可以通过降低R2或R3并加快电路速度来改善“伸缩性”，但是从一阶的角度来看，我不知道为什么必须这样做。我也不明白为什么只有一个边缘慢。Q1的基极-发射极电容不能解决这个问题，对吗？我缺少二阶效应吗？

附言：我知道在基极晶体管小于发射极晶体管的情况下，有一个公共发射极电路是很奇怪的。让我们将此称为学术练习。

3.3 V峰值输入电压将晶体管驱动到饱和状态，这可能需要相当长的时间才能恢复。尝试使用抗饱和电路，例如贝克钳，或降低输入电压。

我遇到了类似的问题，这是由Bart提到的将晶体管驱动到饱和状态引起的。

因为我已经有了PCB，所以添加抗饱和电路将非常困难。取而代之的是，我将原本为1 kohm的基本电阻替换为10 kohm电阻，并并联了1 nF电容器。电容器提供电流尖峰以快速改变基极电压。