p型MOSFET基本问题

使用N型MOSFET，当在栅极上施加足够高的电压时，可使电流从漏极流过源极。使用P型MOSFET时，电流应流向哪个方向？是从源头经过漏极还是从其他方向转向周围？谢谢

对于N沟道MOSFET，电流从漏极切换到源极。但是，P沟道MOSFET的工作方式相反-在P沟道MOSFET中，电流从源极切换到漏极。请参阅IRF的此应用笔记。同样，功率MOSFET中整体二极管的阳极连接到N沟道的源极，但连接到P沟道的漏极。请参阅此摘录。

基本上，当您将正电压连接到负载并且想要将其打开和关闭时，请在负端子和地之间使用一个N沟道MOSFET。通过施加使晶体管饱和的正电压来允许电流流动（功率MOSFET为10-12，逻辑电平为3-5V）。通过将栅极下拉至源极将其关闭。

当负端接地的负载（通常是更好的选择；如果可能的话，请勿将其接地），并且想要施加或去除正电压，请使用P沟道MOSFET。将其栅极上拉至源极（已连接至V +）以将其关闭，或将其接地（如果逻辑信号小于V +，则通过集电极开路输出将其接地）以将其导通（因此Vg为0，而Vs为12V，因此Vgs为-12V）。

耗尽模式mosfet较不常见，通常仅在N通道中可用。对于N沟道耗尽模式，必须将栅极拉低至源极（通常为地）以下。对于大多数交换应用程序，请坚持使用增强模式，除非您需要一些奇怪的东西。

此示意图显示了两种（增强模式）配置：

要确定源极和漏极，请查看箭头所连接的一侧。这就是来源。如果您有物理组件，则在电表上进行二极管测试对于查找开关电流方向（将正电压施加到该二极管测试标识为负的端子上）以及进行以下基本测试（不是保证）都非常有用：晶体管没有烧毁。要区分N通道和P通道，请查看符号：N通道指向iN。