在MOSFET的属性中，Digi-Key列出了几种不同的电压。我想我了解其中大多数，但是我不了解其中的一个：“驱动电压”。
让我们以这个P沟道MOSFET为例：
因此，有一个“漏极至源极电压”，即100V，这是MOSFET可以切换的最大电压。
“ Vgs（th）”为4V，这是栅极电压必须变化多少才能使MOSFET进行开关。
有“ Vgs（Max）”，它是±20V，我猜这是可以施加到栅极的最大电压。
然后是“驱动电压”，即10V。这是我不了解的那个。这是什么意思？
MOSFET的“驱动电压”是多少？
Answers:
真正的MOSFET并不是完美的器件，它们不能简单地通过施加栅源电压来导通或关断。通过源极到漏极的“ ON”电流量是施加的GS电压的函数。这是一个陡峭的功能，但仍然是连续的功能。这是一个依赖示例，来自于一个教程：
MOSFET的数据表试图通过提供“角”点来简化此功能参数。
第V个电压是漏极电流几乎无法测量的电压，在OP情况下为250 uA，发生在4V。
“驱动电压”（列出为10V）是MOSFET达到完整规格时的电压，可以提供8.4 A的电流，并且具有指定的Rds（on）电阻小于0.2 Ohms。
谢谢！因此，听起来好像我要构建5V电路，我需要一个驱动电压小于5V的MOSFET。
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user31708 '18
@ user31708不一定。仅当您确实需要设备可以管理的最佳Rds（on）时。
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管道
@pipe那么，为工作选择合适的MOSFET有一个经验法则吗？
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user31708 '18
@ user31708，选择设计的电子组件时没有“经验法则”。有工程计算用于在设备的规格的给定控制电压范围和范围内，下面的IV曲线，占温度变化（MOSFET将始终升温至一定程度，由于功耗和有限的热阻抗），最后施加合理保护带。
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Ale..chenski
为了补充Stefan Wyss在回答中正确说的话，我将为您提供该参数的基本原理。
功率MOSFET通常用于开关，这就是为什么低R DS（on）在开关应用中很重要的原因。知道可以在哪个电压下获得R DS（on）是一个重要参数，因为您可以立即知道电路是否可以完全导通MOSFET，而无需查看数据表中的曲线。
例如，如果您需要在R DS（on）不超过10mΩ的情况下切换10A负载，则可以搜索这些参数。但是，如果仅在10V时才可以达到R DS（on），而您只有5V供电的MCU，而没有其他电源轨，那么您就会知道MOSFET不适合（否则将需要驱动其他电路）。