关于JFET极性

我经常看到JFET晶体管的内部架构，它看起来总是对称的。用于连接漏极和源极的N型沟道以及用于N-JFET的栅极上的P型半导体。我知道JFET具有极性，但是由于架构是完全对称的，所以我不明白为什么/如何将其极化？

编辑：的确，实际上我应该澄清我的问题。在这里，我更加关注使JFET极化的物理/化学性质。如果漏极和源极相连，则抛出一个N型通道，并且该通道看起来完全对称，为什么漏极不能成为源极，反之亦然？

谢谢

箭头的方向告诉您：

N通道

P通道

箭头从P指向N（就像二极管一样），因此您可以确定哪个是明智的。例如，在顶图中，箭头指向通道，因此通道为N型。在底图中，它指向远处，因此通道是P型的（即从P到N）

为了澄清起见，这也适用于中间画有门连接的符号：

据我所知，仅当源极/漏极可互换时，才应使用此引脚，但它经常被错误使用（许多JFET不对称，因此无法任意使用）

如果JFET是对称的，则可以任意使用，并且工作原理相同。在这种情况下，我认为惯例是调用一个终端源，另一个调用漏极，尽管实际上并不重要。
但是，某些JFET的设计使通道的厚度始终不一样，并且栅极-漏极电容与栅极-源极电容不同。这对许多应用都无关紧要，并且该设备仍然可以任意使用，但在某些（例如高频）应用中可能很重要。
我找不到很好的参考资料，可以很快就该主题进行详细介绍，但是Google的“ Asymmetrical JFET”（非对称JFET）阅读了各种专利。“电子艺术”对此也有简短的提及。