有人可以解释这个微控制器ADC接口（用于读取太阳能电池板电压）吗？

我正在尝试了解TIDA-00121中找到的电路的功能（您可以从此处下载设计文件）

我认为这与以下事实有关：PV并未直接接地（当太阳能电池板的电压太低而无法阻止任何反向电流流入电池板时，反向电流MOSFET可能会关闭）

对于传递函数（来自源代码），微控制器侧的电压等于：

V = 0.086045Pv-0.14718475V（PV是面板电压）。

这是从Vref = 2.39,10位ADC和源代码公式得出的：

面板电压= 36.83 * PV-63

从源代码验证我的假设：

电池电压= BV * 52.44

产生电池分压器微控制器侧的电压：

V = 0.122BV是分压比（14K / 100K网络）

问题是：

1. pnp晶体管网络的作用是什么？
2. 如何计算微控制器侧电压的传递函数？

非常感谢你。

pnp晶体管网络的作用是什么？

这是一个差分电压至电流转换器，后接一个负载（R34和R35）。P +和P-之间的电压设置R31两端的电压。此电压（负0.7伏）设置R33两端的电压，并导致电流从集电极流出（很大程度上与集电极所承受的负载无关）。

给定R33，R34和R35的值，R33两端设置的任何电压都会出现在R35两端，但会降低3：1。

重要的是，该电压以地为参考，因此适合ADC理解。因此涉及电平转换。

我仍然对使用此电路的目的感到困惑。我以为mosfet的内部二极管（Q1）的连接与太阳能电池板的接地相同（读取的电压等于电池板的电压减去Q1的二极管压降）。

当系统正在运行时，这是正确的，但系统并未脱离运行状态。

我试图对系统进行反向工程并解释导致差分测量的过程。

该系统显然是为高功率水平下的高效率而设计的，因此电源路径中的所有开关设备均为N沟道MOSFET，避免了效率较低的二极管和P沟道MOSFET。

该框图显示了面板和电池之间的降压转换器。http://www.ti.com/diagrams/rd/schematic_tida-00121_20140129112304.jpg。该降压转换器似乎由Q2，Q3和L1组成。

问题是由于面板电压下降到电池电压以下，降压转换器无法防止Q2的体二极管降压。此反向馈送需要被阻止。

当然，可以使用二极管或P-feet防止反向馈电，但是正如我所说的那样，这些效率很低。一个人可以在高端使用N-Fet，但随后需要一个高端驱动器芯片。因此，他们决定通过在低侧（Q1）使用N型mosfet来阻止回馈。

关闭Q1可以阻止反向馈送，但这意味着面板不再接地。在正常操作期间，P-处于地面，但是当由于光线不足而导致系统“关闭”时，P-可能会高于地面。当系统关闭时，能够监视面板电压仍然很有用。

因此，通过首先将差分电压转换为电流，然后将该电流转换回单端电压，可以使用差分电路来读取面板电压。