开漏vs开集

漏极开路输出和集电极开路输出之间是否有实际区别，还是术语互换使用？如果它们确实是不同的，那么每种情况都有利的背景是什么？我的直觉是它们在功能上是等效的，但漏极开路是通过FET技术实现的，而漏极开路集电极是通过BJT技术实现的。

没错，集电极开路是BJT，开漏（C）MOS。在电流较低的逻辑电路中，由于FET的，BJT的饱和电压可能比电压降高一点，但仍然比逻辑低时的最大电压低很多。 。$R_{DS(ON)}$

例外：您不能使用TTL集电极开路输出作为电平转换器来与非常低电压的CMOS接口。该逆变器可以在低至0.8 V的Vcc上工作，并且数据手册提供的最大低电平为0.25 Vcc，即0.2V。集电极开路时的压降将高于该值。（该设备甚至将最大低电平输入电压指定为0 V，这根本是不可能的。）

注意
除了有线或运算（想想I2C）以外，漏极开路/集电极开路通常用于控制工作电压与逻辑不同的电压，通常是更高的电压。对于某些低压逻辑系列，这不再可能，因为FET不能承受高压，因此某些系列将内置钳位二极管来保护输出FET。