MOSFET有什么用？

最长的时间，我一直远离FET和MOSFET（就是说，在电路中使用分立晶体管的时候）。我以当前的业余项目为借口，尝试并最终对使用它们感到满意。但是，我似乎无法从这些野兽中做出正面或反面。

在尝试任何实际电路之前，我正在运行基本的（几乎是“健全性检查”）LTspice仿真。极其简单的电路，它们似乎仍然不起作用。例如，请参见下面的LTspice屏幕截图-电压探头位于电源的输出端；电流通过连接到漏极引脚的电阻测量。当MOSFET导通时（V2为12V）假定为1mA，我预计当输入电压为0V时它会回到0mA持续1μs：

顺便说一句，如果我将V1设为直流电源，那么它将起作用：我将其设置为0V，通过R1的电流为0mA（好，以pA的顺序），如果将其设置为5V，则电流为1mA。

我想念什么？我还尝试了从V1到栅极的100Ω电阻。它在切换时只会在电流上产生一点点的颠簸，但仍不会回到0mA。我还从栅极到GND添加了一个10k电阻。参见下图，显示了模拟的输出（再次：我缺少了什么？）：

我确实对该主题有一些更具体的问题，但是我认为在尝试进行任何“实际”应用程序之前（即使是在业余项目中），我最好先熟悉最简单的“玩具”电路。

做一个相同的模拟vastlty不同的时间尺度，像慢1000倍。因此，将us（微秒）更改为ms（毫秒），然后再次运行仿真。

请注意，在第一个图中，红色迹线如何下降，但是在其到达零之前，请再次打开NMOS。它没有时间达到零！

栅极和漏极之间存在一个大电容，并与12 k漏极电阻组合在一起，这是一个较大的时间常数。比您所允许的1us大。放慢脚步，看看会发生什么。

得到所需的曲线后，降低漏极电阻的值，并注意速度如何再次增加。在1 us时，您可能需要120欧姆左右，而不是12 k欧姆）。