为什么功率二极管具有p + n- n +结构，为什么没有p + p- n +？

我一直在学习功率二极管，以及通过添加轻掺杂n型层与低功率二极管的区别。
该n型层改善了器件的击穿电压额定值，并且由于从重掺杂区注入的载流子数量众多，因此改善了正向偏置的传导。
如果将此n层替换为轻掺杂的p型层，功率二极管的工作原理是否相同？如果可以，为什么首选n层？或者，如果没有，为什么？

diodes power-electronics semiconductors

— 悉达思·南丹（Siddharth Nandhan）
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电子迁移率约为空穴迁移率的两倍，因此将电子用作多数载流子意味着您获得：

— DrFriedParts
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+1用于几乎3倍孔硅迁移率（不锗），当我在1980年研究这个我记得1300 VS 500的硅和老数字3800 VS 1800锗。但我想，自从过去以来，测量方法可能已经完善了。（

300 K

$300\:\text{K}$

— 室温

迁移率是掺杂剂浓度的函数。对于低浓度的掺杂剂，您的数字是准确的，但迁移率会大幅下降，并且在二极管中使用的较高浓度下，该比率将变为2：1。

— 马特

@马特谢谢。我记得迁移率是T（温度）的幂，并且还取决于电场强度。但是我没有想起取决于掺杂剂浓度的情况。当然，电导率当然是。但是我想我需要再次阅读。您有我可能要看的参考吗？

— jonk

@jonk Bart的书在这里解决了移动性ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_7.htm或Simon Sze的“半导体器件物理学”是一本很好的书。

— 马特

@Matt谢谢Matt。这很有帮助。那里也调用了晶格声子模型。我对此很熟悉，所以这也是一个不错的选择。我还相信，我看到在高掺杂水平下电子迁移率迅速下降，在足够高的水平（总体上迁移率相当低）下，该比率甚至可以小于2。

— 琼克