我的设计继承了相当标准的n通道mosfet，该mosfet驱动继电器来控制电动机和执行器。
在最近的构建中，我们开始在n沟道mosfet上获得50％的故障率。以前我们没有mosfet的失败。到目前为止，我唯一能找到的区别是继电器和mosfet上的日期代码不同。否则，一切都不会改变。
mosfet是安森美半导体2N7002LT1G
继电器是欧姆龙电子G6RL-1-ASI-DC24
反激二极管是ON半导体MRA4003T3G
通过ON半导体对mosfet进行了检查，发现它很可能被过高的电压破坏了。但是到目前为止，我还没有看到MOSFET上的电压尖峰超过30V。
这是带有MOSFET /继电器/二极管的电路部分。
Answers:
我猜这是在您最近的版本中未正确焊接二极管，或者您有一些不良零件。拿一块发生故障的板子，更换FET，然后在关闭继电器的同时快速观察漏极。然后，将所有焊料连接回流到二极管周围，甚至将焊锡丝直接从二极管回流到继电器，然后再次查看信号。
您显示的是原理图，而不是物理布局。二极管相对于继电器和FET在哪里？如果距离太远，则其电感会部分破坏其目的。
另一个可能是，这始终是一个糟糕的设计，现在您得到了一些差异很重要的部分。尝试立即在继电器上放一个小盖。这将减缓电压变化，从而使电路的其他部分可以继续工作。如果继电器不在板上，则必须分别保护FET漏极。这可能意味着板上有一个单独的反向二极管，可能在漏极上有一个小小的接地电容。您不希望在此处放置太多，因为它会在接通电源时产生一个小的浪涌，但是将其从几百pF降至nF左右，应该会减缓电压变化。
VBATT是什么电压？为什么二极管不是肖特基二极管？
将R38更改为10k可能会有所帮助。
跨栅源添加齐纳二极管可能会有所帮助
显示所有相关电路可能会很有帮助-在这种情况下，ACTCTRL1后面隐藏的内容可能相关也可能不相关。
它为什么会在批次之间变化并不明显，但需要检查的是栅极电压永远不能超过（或接近其最大额定值（Vgsmax）。这取决于ACTCTRL1的阻抗。米勒电容将耦合漏极的关断电压）栅极的阻抗必须钳制为小于Vgsmax。FET批次之间Vgsmax可能有所不同，但这不太可能。
如果有疑问，则在栅极到源极之间放置一个比V_gate_drive_max电压稍高的齐纳二极管（阴极到栅极，因此齐纳二极管通常不会导通）。
R38可能远远高于100k所需的值。奇怪的是，这可以说是10k，并且可能在批次之间进行了更改，恕不另行通知。Miller电容的能量必须将其驱动到高于Vgsmax的水平才能破坏FET，因此10k会使该能量提高10倍。对于5V驱动器，一个10k的驱动器将需要0.5mA的电流，因此大多数驱动器对此都不会有问题。如果ACTCTRL1不是直接连接到驱动引脚，而是具有串联电阻，则可能需要按比例减小电阻。
您提到故障分析指向过电压，因此这可能无关紧要，但要确保二极管没有向后放置。使用500ma（max）FET和1A（max）二极管，几乎可以肯定的是，在使用正向偏置二极管的情况下，FET首先会失效。
我们曾经有一家装配厂使用像您一样的SMT二极管来为我们做这件事（丝网印刷完全被零件遮盖了）。找到它花费了令人尴尬的长时间，但这只是一个简单的修复...在新的装配车间。
我看到这本质上就是DeanB所说的。这增加了一些数字，并在整个区域中徘徊了一点。
如果以错误的极性安装了D21，则FET将几乎立即失效。：
过度消耗造成的故障几乎可以肯定。
如果二极管出现故障，则由于感应尖峰，FET会很快失效。
FET导通，二极管通过FET从24V接地。
二极管开路失败。
继电器现在开始工作。
在继电器释放时，您现在有一个电感尖峰且没有二极管... :-(。
7002的电流能力不是很高，可能会限制在“几”安培的电流。可能首先要自毁的是二极管和MOSFET之间的释放。如果MOSFET先死，则继电器永不工作。
如果二极管先死，则继电器至少运行一次，可能还会运行多次。
所以：
此处的二极管数据表的额定值为88 C / W，带1英寸见方的焊盘，因此不需要过多的过电流即可热死。
MOSFET的额定功耗为300 mW，功率为417 C / W。 !!!!!!!!!!!! 。此处的数据表中的
所有驱动器都具有约1.6A的良好性能，然后会下降所需的电压，而二极管在1.6A的Vf约为1伏时几乎不会产生汗水，因此，如果二极管相反，您将获得约P_transistor = VI ~~~ =（24-1）x 1.6 =〜30瓦。
死亡几乎是瞬间的。