当我偶然发现使用BJT而不是普通MOSFET的电平转换器电路时,我正在读Amitava Basak 的《模拟电子电路和系统》一书。请参见下图。请忽略晶体管型号。
我对中间的NPN晶体管Q2感到困惑:它总是关闭吗?
- Q5以二极管模式连接,其Vbe固定为0.7V
- 将Q2 Vbe加R2中的压降后应再次提供0.7V
- 以上暗示Q2的Vbe小于0.7或R2上的电压降为零。
舍弃R2上的零电压降,导通的晶体管怎么可能具有低于0.7V的基极至发射极电压?
当我偶然发现使用BJT而不是普通MOSFET的电平转换器电路时,我正在读Amitava Basak 的《模拟电子电路和系统》一书。请参见下图。请忽略晶体管型号。
我对中间的NPN晶体管Q2感到困惑:它总是关闭吗?
舍弃R2上的零电压降,导通的晶体管怎么可能具有低于0.7V的基极至发射极电压?
Answers:
Q2总是关闭吗?
不,它总是打开。Q2的作用是试图使(小)电流流入其集电极。该电流试图拉低Vout的电压。
Q5,Q2和R2有点像一面电流镜,但很糟糕。通过R3的电流不会像在“适当的”电流镜中那样一对一复制。相反,由于存在R2,流过Q2的电流将比流过R3和Q5的电流小得多。在R3两端,我们得到一个相当恒定的VEE电压-0.7V。由于R3为1 kohm,通过R3的电流将为几个mA。如前所述,通过Q2的电流将小于100uA或更低(100uA仅是我的猜测,要获得一个更准确的数字是太多工作,无论如何解释电路如何工作都没有关系)。100uA会使Q5的Vbe不是0.7V,而是略小于0.6V(= 0.7V-100mV,因为通过R2的100uA给出100mV)。
100 uA会拉低Vout。与之相反的是Q1将输出上拉(通过R1)。如果Vin足够高,则Q1可以提供如此多的电流,以致Vout将被上拉,几乎达到VCC的值。
当Vin的电压非常低时,Q1的开路将少得多,提供的电流也将少得多,因此Q2会“赢”,而Vout会被拉低。
Q5以二极管模式连接,其Vbe固定为0.7V
正确
将Q2 Vbe加R2中的压降后应再次提供0.7V
确实Vbe(Q2)+ V(R2)= Vbe(Q5)= 0.7 V
会发生什么事有会有一个显著流经Q2,R2之外还有流经Q5更小的电流。
以上暗示Q2的Vbe小于0.7或R2上的电压降为零。
两者都是正确的,Vbe(Q2)将略小于0.7 V,并且R2两端会有一个小的电压降(小于100 mV)。
电阻器 , 和晶体管 和 形成Widlar电流源。
资料来源:https : //en.wikipedia.org/wiki/Widlar_current_source
当前信号源始终打开。
这实际上不是适用于板级设计的电路。由于需要晶体管在几何上和热上匹配。