SMPS上的二极管和电阻并联的目的是什么？

当从液晶电视的几个开关模式电源中读取原理图时，我注意到将PWM脉冲传递到MOSFET栅极的引脚具有并联的二极管和电阻。

有些图没有它。但是他们有很多。我想这对IC控制器的驱动器有一定的保护作用。

虽然我不确定。在第一个图中，二极管和电阻并联，在第二个图中不并联。

这个想法是要使MOSFET关断比其开通更快。当MOSFET“导通”时，栅极电荷通过（例如）R915 + R917 = 51.7欧姆提供。

当其关闭时，栅极电荷通过与4.7欧姆电阻器串联的二极管吸出。

您可以将栅极看似有点像一个大电容器（栅极-源极电容加上漏极-栅极电容中通常更大的分量，由于米勒效应，后者的影响更大-漏极的电位通常会发生变化）更大的数量，使漏极-栅极电容的影响倍增。

在FMV111N60ES的情况下，栅极电荷可高达73nC。

这可用于防止两个MOSFET同时“导通”，从而导致直通（这会浪费功率并可能损坏MOSFET），或者只是更好地控制了波形。

除了Spehro的出色回答外，还有其他一些注意事项。

快速开关器件会增加电路的射频辐射，但是还要考虑栅极驱动器的限制。当晶体管驱动感性负载时，对于给定的电路，更快的开关实际上不会提高性能。该电路已调整为以特定频率工作，因此更快的开关操作可能会导致驱动器成本增加，却没有任何好处。

当您用GAN-HEMT晶体管替换MOSFET时，情况会发生巨大变化，因为它们可以承受更高的负载并以更高的速度进行开关，KW范围电源的500kHz开关并非闻所未闻。这是地面反弹和射频辐射成为严重的设计难题的时候。