是否使用不同的技术设计处理器？

是否可以使用不同的技术来设计处理器？我的意思是：例如，在Intel的28nm处理器中，该处理器是采用28nm技术构建的所有门，或者仅仅是该处理器在28nm中构建的最关键的部分，而其他要设计的重要程度则要低得多在其他便宜得多的技术中，例如65nm或更高？

如果是，[处理器是技术的混合体]在实践中如何做到这一点（即同一芯片上使用不同的技术）？为什么要这样做？

我对此感到很好奇，因此与这些问题相关的任何其他信息也都值得欢迎

“技术”并不是您所要求的正确术语。芯片的技术取决于制造所需的特定处理步骤，此外，这决定了芯片上各种物品的最小特征尺寸。通常与特定技术关联的数字（例如28 nm）专门指最小栅极长度，该长度由可在形成晶体管栅极的掩模上绘制的线的宽度确定。

可以肯定的是，并不是任何给定芯片上的所有晶体管都需要最小的栅极长度，而且很多晶体管都需要比最小栅极宽度更大的栅极（以获得更大的电流处理能力），所以是的，您的确会在芯片上看到许多不同尺寸的晶体管。

整个处理器采用相同的技术构建。这由掩模和光学器件确定，以将它们投射到晶片上的每个芯片上（称为“步进”的过程）。较小的特征尺寸允许将更多的组件封装在芯片上，从而降低了功耗并提高了速度。在面具上花一小笔钱（他们确实花了一小笔钱），然后不使用它的可能性是没有用的。

需要明确的是：是的，相同的28 nm将用于整个芯片表面的一个步骤，但是不，并非所有组件都具有相同的尺寸。只是28 nm的掩模不会交换为部分裸片的65 nm掩模。

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确实在管芯上确实有较大的区域，不需要28 nm小尺寸。典型的是倒装芯片的焊球垫：

注意比例：这些垫比裸片上最好的结构大1000倍。此处可以使用不太精细的掩模，但是同样，如果工艺步骤也需要28 nm，则两者将使用相同的掩模。并不是因为这些打击垫是巨大的，所以它们不必精确定位，而且如果您不必切换蒙版，也不会出现很多错误。

在任何给定的现代工艺中，具有多个GOX（门氧化物）厚度是很常见的。这不是出于成本原因而使用，而是用于与外界连接。内核将以最低的电压运行，并在更薄的GOX上运行，但速度会快得多。较厚的栅极氧化物晶体管连接到封装引脚，速度较慢，但​​在较高电压下工作。

缩放GOX厚度时，晶体管的物理尺寸也必须增加。

增加额外的步骤来适应这种双重GOX流程实际上会增加流程成本。但是它将无法以其他方式工作。

使用不同技术的原因是为了减少静态功耗（基本上是晶体管上的泄漏电流）。在90纳米制程下，静态功率开始比较，最终使动态功率蒙上阴影。以及它的实现方式，好的硅制造工艺包括掩模和蚀刻，如果您可以做一个28nm的工艺，我会假设使用28nm可以完成65nm的工艺，那将仅仅是掩模上的一个大晶体管。

技术节点可能与特征尺寸（MOS晶体管沟道的最小长度b / w漏极和源极）有关。如果IC为28nm，则意味着最小长度的通道为28size，并非每个通道的长度都相同，但同时并不意味着它达到65nm。