识别GaAs FET结构

我发现祖父的照片中有一张我认为是RF GaAs FET的照片。这张照片过时（1975年）时，他正在GaAs FET实验室工作。它的背面标有“台面的300μm栅宽”。

我认为这与1977年提交的美国专利US4160984A有关。他被列为发明人之一。

这种结构对我来说是陌生的；栅极，源极和漏极在哪里？有关该结构的任何其他信息将不胜感激。

semiconductors fet

— 马克·奥莫
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通常，FET从左到右建模为“源极，栅极，漏极”，但是由于没有提供足够的文档并且图片可能会倒退，因此我无法对其进行备份。结构非常对称。您的祖父是其中的一员，这真是太好了：）我的祖父是一位电气工程师，曾为NASA设计阿波罗制导系统。

— KingDuken

根据我对GaAs和GaN HEMT的布局经验，这是什么的注释版本：

如果仔细观察，会发现闸指从两个闸触点的任一侧剥落。我无法确定哪一侧是漏极，哪一侧是源极，但是如果它是对称器件，它们的物理特性没有什么不同（例如，专为开关应用设计的FET）。我的猜测是，虚线框是台面区域。

很酷的照片和背景:)

— 沙坦
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的确是。细长的长条与其上沉积的GaAs外延形成肖特基接触。

— Shamtam

从专利来看，看起来源极和漏极触点（内盒）的“起泡”部分是AuGe触点，而栅极上的纯金属和触点的范围是MESFET的Al Schottkey触点结构体。右上角的接触可能是欧姆衬底接触，中上角可能是欧姆台面接触。顶部中间可能是欧姆台面触点的测试触点

— W5VO

我认为您标记为“台面”的可能是台面的薄化蚀刻，而台面可能是更大的范围（专利中图4上的项目28）。如果是这样，那将使顶部接触成为源，因为它在台面和基板之间具有欧姆接触，而底部欧姆接触可能不会穿过台面。

— W5VO

@ W5VO是的，我同意。进一步阅读该专利后，似乎使用的术语是“倒置台面”，这使我感到困惑。对我而言，更常见的术语是将这种结构称为凹栅FET（这是GaAs FET减少布局的相当标准）。我会尽快进行一些更新。

— 沙姆谭（Shamtam），

不用担心，我一直在看着它，当您的回答突然出现时，我将在午餐时间

— 写点东西