STM单片机每次都会燃烧

我有一些使用stm32的经验，但是我只在开发板上使用过它们。

我最近尝试将stm32和stm8焊接在一个简单的分线板上，并用我的st-linkv2克隆对其进行编程。

首次通电时，单片机会发出一些小声音，例如几秒钟后燃烧，然后在2分钟后吸取100mA电流并冒烟。

我认为我缺少一些重要的细节。 像这样的简单设置会出什么问题？（仅vdd，vss，去耦电容和st-link）

我使用stm8和stm32尝试了20多次。

我尽可能地靠近去耦电容，并为其提供了3.3v电压。

几次，我可以对闪光灯进行编程和验证，但显示出一些奇怪的行为 *，几分钟后又冒了烟。

我尝试了拖焊，带有smd尖端的常规焊接以及低至260C的温度以及每个焊垫之后的冷却时间。我还尝试了在270C上使用热风枪，并且我已经确定该问题不在焊接中。

我还尝试了NRST上拉和BOOT0下拉。

*怪异的行为：“随机”，例如简单的led眨眼信号灯或pwm信号上的定时，仅下降到2.8v左右，而不是0v。总体而言，“ kinda”工作正常，但仅持续1分钟。

**问题不是st-link。它闪烁开发板就好了

编辑1： 这是原理图（对于stm32）（到带有标签的ST-Link的连接）：

下面没有任何东西。只是连接到引脚的另一个（未填充）封装。

编辑2：连续性测试：无短路，所有引脚接触均正常

编辑3：连接VDDA和VDD，并在VDD上增加另一个4.7uF。还在炸 VDD直接在设备上测得：3.36v

编辑4：电流消耗行为：在所有情况下，油炸芯片时，它消耗大约20-40mA电流，有时突然上升到100-240mA持续几秒钟，然后归零（小于10mA）。并在重新启动之前保持零状态。

更新：我在VCAP上焊接了另一个STM8S003F3P6,1uF，在VDD上焊接了2x100nF和10uF。并使用电池作为电源，并制造了一个小的电容倍增器和发射极跟随器，以使3.3v带有许多陶瓷电容和低ESR电容，并且电流限制设置为15mA。该电压在50MHz以上的噪声小于30mV。然后我连接了MCU（刚焊接）。电流消耗小于4mA，电压稳定。我离开了。一两分钟后，它突然开始超过15mA极限并触发PDR。现在它立即开始执行此操作（即使已声明NRST）。似乎这个也消失了...

V _DDA未连接。

应用笔记AN4325 STM32F030xx和STM32F070xx系列硬件开发入门说，

V _DDA电源可以等于或高于V _DD。这使V _DD保持较低，同时仍可提供模拟模块的完整性能。

当使用单电源时，必须将V _DDA外部连接至V _DD。

因此，在再次尝试之前，将引脚5连接到引脚16。

您是否用示波器查看过电源波形？

您似乎正在使用的LF33线性低压降稳压器需要至少 2µF的输出电容才能保持稳定，原理图仅显示100nF。另外，在稳压器之前，我看不到任何输入电容。

如果稳压器振荡，则可能是间歇性地将5V全电压施加到您的MCU电源引脚上。这将超过STM32的最大4V额定值。

如果您不知道CMOS的“埋藏式SCR锁存效应”会因输入电压上升超过电源电压0.3V而产生直通热损坏效应，那么您现在就永远不会忘记。

这与在连接VddA之前施加模拟信号相同。

本应用笔记P11明确规定必须做什么，而不是原因。

“•POR仅监视VDD电源电压。在启动阶段，VDDA必须首先到达并且大于或等于VDD。
•PDR同时监视VDD和VDDA电源电压。
•但是，VDDA电源监控器可以如果应用程序设计确保VDDA高于或等于VDD，则通过编程专用选项位VDDA_MONITOR来禁用功耗以降低功耗”

根据我的专业经验，我发现STM32对电源轨和GPIO上的瞬态电压极为敏感。确保电源在启动时不会过冲。您可以采取的缓解措施是在稳压器的输出上增加10uF至100uF。祝你好运，让我们知道如何进行。

让我们看一下LF33数据表：https ://www.st.com/resource/zh/datasheet/cd00000546.pdf

Output bypass capacitance:
ESR = 0.1 to 10 Ω
Io = 0 to 500 mA
Minimum: 2μF, Typical: 10μF

距离LDO较远的100nF电容无法完成这项工作。尝试用示波器检查电源线。并且不要在不靠近LF33引脚的位置添加10-47uF LOW ESR电解电容器的情况下油炸下一个MCU。

你在哪里买的？他们是真的吗？

我已经使用了很多stmf1，并且在esd和更高温度的焊接方面都没有问题

您是否尝试过不闪烁设备？只需将其保留一段时间。

您在哪里获得5v电源？也许这是一些泄漏。尝试使用正在使用闪光灯的同一台PC从USB为它供电。尝试获取ftdi转换器进行串行调试，并直接通过3v3输出对其供电

从我得到的结果来看，您的简单测试是闪烁的。对？您正在使用什么电流？销钉是固定在高侧还是低侧？尝试在下部使用NPN或类似的FET来切换此LED。也许电流正在破坏它。尽管我看到它会烧录IO，但不是这样的设备。

您的学校没有显示vdda，不确定是否为adc以外的其他设备供电，但也不应刻录设备。

我最好的猜测是来自不同设备（例如电源和USB）的参考

检查数据表，了解F030将消耗的最大电流，并在工作台电源上设置电流限制，以提供比该电流少的电流来保护微控制器。我尚未检查LDO（LF33）的数据表，但为了稳定起见，您需要在电源侧使用一个大容量电容器，在微型端使用一个较小值的电容器。后者不要与微控制器上VDDD和VDDA的去耦电容混淆。最后，其他人已经提到提供电路板原理图。这些第3方电路板中的许多电路板都在拐角引脚上接有电源并接地。这里不是这样。您还可以通过使用免费的STM32CubeMx来受益，以帮助您设置引脚并生成配置代码。

调节器的稳定性是关键。在不增加电容的情况下，轻负载很难保持稳定。

LM317曾经使我发生过类似的事情。该电路中的电压达到12v。串行控制可能会出错。

我使用的NXP Arm7处理器的I / O引脚上有开机闩锁问题。我怀疑您的问题是稳定性，而不是闩锁。

我终于找到了导致所有这些的原因。似乎我的接地电路存在一些问题，并且在焊接和加电期间设备上出现了一些高压交流电，并且没有共同的接地。尽管该路径的阻抗很高，但显然造成了很大的伤害...我现在有一个STM8闪烁LED超过5分钟！！！（多么的成就:)）但是我也没有在该板上使用助焊剂，因为我怀疑助焊剂残留物也会造成一些问题...

MikołajTutak撞上了头。只是一些笔记。

几乎任何上限都可以满足所需的ESR。在输出上并联几个廉价的10uF或4.7uF电解，您就可以了。数据表仅要求2.2uF，但额外的电压不会造成伤害。

我已经在至少4种不同的设计中使用了这个确切的MCU（以及该问题的K6和CC）。永远不要炒一个。我使用便宜的MLCC电容进行旁路，但在输入端有10uf至22uF的固态AL电容；除了一种情况，我使用的是10uF钽而不是AL。所有这些设计都是在接地层顶部的单层。板上没有调节器。

在我所有的测试中，我的电源都是相同的，即13.8V（从无线电PS）-> 12V至5V切换器（很多廉价USB电源适配器，从一美元的存储中获得）->使用LM1084的3.3V PS 。输出总计约120uF。便宜的47uF x 2和10uF x 2