在NMOS中，电流是从源极流向漏极还是反向流动？

在NMOS中，电流是从源极流向漏极还是反向流动？

这个Wikipedia页面让我感到困惑：http : //en.wikipedia.org/wiki/MOSFET

上图使我感到困惑。对于N通道，它显示二极管的极性在某些情况下朝向源极，而在另一些情况下则远离源极。

我想知道哪个端子应该连接到电源（即正极电池端子），哪个端子应该连接到电力用户（即电动机）。

常规电流在N沟道MOSFET中从漏极流到源极。
箭头表示MOSFET中体二极管的方向，通过衬底在源极和漏极之间具有寄生二极管。蓝宝石上的硅中缺少该二极管。

2a是JFet如此不同的拓扑。

2d是没有体二极管的MOSFET。一世'

\ 2e是耗尽型FET-导通，没有栅极电压，并带负电压以关闭FET。因此，二极管具有其他极性，否则只要有栅极电压，体二极管就会导通。

当MOSFET中存在沟道时，电流可以从漏极流到源极，或者从源极流到漏极-这取决于器件在电路中的连接方式。传导通道没有本征极性-在这方面有点像电阻器。

但是，MOSFET内部的本征二极管与传导通道并联。当存在导电通道时，二极管被分流，电流流经电阻最小的路径（该通道）。当通道关闭时，二极管处于工作状态，并且会根据漏-源电流极性而导通或截止。

如图所示，既有N通道和P通道设备，也有增强模式和耗尽模式设备。在所有这些情况下，电流可以从源极流到漏极，也可以从漏极流到源极-这仅取决于设备在电路中的连接方式。

您的图片未显示设备中的本征二极管-朝向或远离栅极的箭头表示通道类型（N通道指向栅极，P通道指向远离栅极）。

此符号向您显示了漏极和源极之间的固有二极管。

$V_{gate} > V_{source}$

$V_{gate} < V_{source}$

N沟道delpetion装置具有由缺省信道，并且需要在栅极上的电压下，以打开通道比源关闭。通过将栅极至源极电压增加至0以上，可以在一定程度上扩展通道。

P沟道耗尽器件还具有默认的信道，需要在栅极的电压更高的比源以打开通道关闭。通过将栅极至源极电压降低至0以下，可以在一定程度上加宽沟道。

我没有参加任何半导体课程，但是如果您对限于电路级操作的答案感兴趣，那么快速的答案是：

使用NMOS时，电流从漏极到源极（箭头指向远离源极处的器件）流动，而使用PMOS，电流从源极到漏极（箭头指向源极处的器件）。

在上图中，P通道一词是指在Gate下方形成的通道类型。P表示在P型半导体上形成沟道，而N表示N型半导体。

关于混乱。你是对的，这令人困惑。您所看到的被称为源-主体绑定终端。在某些应用程序中，此功能很有用（请参见下文，更多信息。）暂时将其忽略。

通常，在检查模拟电路原理图时，通常会在晶体管的源极端子上看到箭头。

通常，在检查数字晶体管级原理图时（与门级相对，即AND，OR，XOR门），没有箭头。区别在于，PMOS在Gate端子上将有一个小气泡，而NMOS将没有任何气泡。可以肯定的是，它们在模拟和数字应用中实际上都是相同的晶体管（PMOS和NMOS）。但是它们的操作方式却大不相同。

初学者 的趣闻趣闻晶体管是一种四端器件：栅极，漏极，源极和主体。作为微电子学的介绍，通常会先忽略身体的末端，而只是帮助您熟悉主要方程式。但是，存在一种称为体效应的半导体现象，在计算晶体管的静态工作点方面，手工计算增加了一层复杂性（静态工作点是您会遇到的一个重要字眼；这真是太奇特了。表示相关晶体管的IV或电流电压工作点的单词。）

对晶体管建模是一项非常复杂的工作，本身就是电气工程或应用物理学科。微电子学中的任何入门教科书通常都以一章开头提到pn结（一种掺杂的硅半导体）。

如果您真的很感兴趣，并且对二次方程和代数有基本的了解，则可以阅读一下Behzad Razavi撰写的入门入门教科书。我希望我在大学读微电子学时有这本书。但是，它假定您对基本电路（即电阻器，电容器和电感器）有所了解。

是的，电流可以从漏极流到源极，反之亦然。为了进一步简化，我想在@Adam Lawrence提到的内容中添加一些内容。

我确定您熟悉CMOS晶体管的横截面。您可以从中心垂直线看到Mosfet的横截面是偶数。因此，无论哪个端子（在nmos两侧的两个端子中）具有比另一个端子更高的电压，这将成为您的漏极（对于NMOS），而电压较低的另一个端子将成为源极（对于nmos）。对于pmos，则相反。

不过，在使用内部3体内部已连接至源极（对于nmos）或漏极（对于pmos）的离散3引脚Mosfet（即SiHG47N60EF）进行购买/交易时，请务必小心。这使得mosfet引脚如数据表中所述是预先定义的。在这种情况下，对于nmos，较高的电压端子为漏极，较低的电压端子为源仍然是正确的。但是，如果如数据表中所述将较高的电压施加到预定义的电源，则阈值电压将与数据表中所述的阈值电压不同。而且您的晶体管的性能将与数据手册中规定的不同。