TVS上的“反向隔离电压”和“击穿电压”有什么区别？

以瞬态电压抑制器为例，以单向Fairchild P6KE11A为例，如第2页的图表所示，反向隔离电压（）和击穿电压（）之间的主要区别是什么？$V_{RWM}$$V_{BR}$

在我的该器件具有反向偏置的实验中，它仅在10.65V时开始导通。这在的10.5至11.6范围内。我想我知道从一个特定的P6KE11A到另一个，我可能期望的V_ {BR}范围是多少，但是反向隔离电压有什么用？$V_{BR}$$V_{BR}$

根据这个

“最大反向隔离电压：在该电压以下不会发生明显的导通”“击穿电压：在此电压下会发生某些特定且明显的导通”

该应用笔记说明

“ TVS击穿电压通常比反向隔离电压（VR）高10％...”