为什么要拉BJT开关的底座?


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我经常注意到双极晶体管的基极使用上拉电阻,例如,这里的:[R2

在此处输入图片说明

为什么使用它?我了解FET的上拉电阻,因为栅极的高阻抗,EMI可以轻松切换它。但是BJT需要打开基极电流,而且我认为EMI的内部阻抗过高,无法提供足够的电流。

将浮动基座留在BJT开关中是否安全?

bjt 

Answers:


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非常简短的答案:R2帮助快速关闭BJT 。

更长一点:当不再通过R1提供电流时,剩下的一切用来阻止基极正向偏置的就是流过基极本身的电流。这适用于慢速电路。为了快速关断,R2有助于将电荷移出基极。请注意,从B到E有一个寄生电容,从C到B有一个寄生电容。后者更糟糕,因为当B下降时,C上升,并且CB电容器将电荷推入B中,而您想在B中失去电荷(米勒效应)。

同样,在B悬空的情况下,很小的电流(干扰/寄生爬电路径)可能足以接通BJT。R2有助于防止这种情况。


值得注意的是,达林顿晶体管中经常使用类似的解决方案。
TNW 2013年


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除了zebonaut所说的以外,另一个原因可能是晶体管以高于其固有BE压降的电压导通。R1和R2形成一个分压器。通过适当设置分压器,可以在R1的左侧获得更高的有效阈值,以使晶体管导通。


我同意奥林。例如,考虑对输入施加12 V电压。有人可能会说Vbe高于0.7 V,并且晶体管处于导通状态。但这不是真的。取决于电阻的值-例如,戴维南等效电压为0.5 V会阻止晶体管导通。总结:即使输入电压很高,结BE也不总是正确极化。
Dirceu Rodrigues Jr 2013年

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添加下拉电阻的另一个原因是,许多BJT都有一定量的集电极-基极泄漏。如果R1很大,或者驱动它的引脚没有被主动拉低,那么泄漏电流将使基极电压升高至0.7伏。如果发生这种情况,晶体管本身将放大泄漏。如果晶体管的基极泄漏为0.2uA,贝塔值为50,则在没有任何类型的基极下拉时,集电极最终将泄漏10uA。在基极上增加一个下拉电阻可将泄漏降至0.2uA。在某些情况下,10uA的泄漏可能没什么大不了的,但是如果电路中的所有其他器件都断电以仅消耗5uA的电流,那么使晶体管泄漏10uA的电流将使人的功耗增加三倍。

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