威尔逊电流镜


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我建立了一个超级威尔逊电流镜。Iin在24Vdc时为4-20mA。Iin到Iout的准确度非常差5%。我在源上将100欧姆电阻器接地,这有所帮助。如何提高输入和输出之间的精度?下面是我的电路

这是电路的仿真器链接:sim链接

编辑:500欧姆是使用镜子的电路的负载电阻。470欧姆是读取Iin电流的PLC的最大可能电阻。

屏幕截图:

电路图


我看不到你的电路。您可以发布屏幕截图吗?
hassan789

链接到屏幕截图i.imgur.com/o6ZTRnH.png
大卫,

2
您是说实际上是实际建造的吗?或者只是在模拟器中?
Oli Glaser

我在物理上构建它,如上所述,精度为5%。我有2个双Nmos芯片fds6961A。我拿出一对Nmos,使用最基本的镜子将精度提高到2.5%。
大卫,

Answers:


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我会使用双极性,而不是FET。FET必须特别匹配才能正常工作,而分立部件很难保证。使用两个NPN。有了足够的发射极电阻,您应该能够超过5%。请记住,如果您希望精度高于5%,则不能使用5%电阻。尝试这样的事情:

如果那不能满足您的需求,那么运算放大器电路应该可以做到,但是会更加复杂。


使用390欧姆发射极电阻,我得到1%和2%的精度。220欧姆的精度为5.5%。所有抵抗者都是1%或.1%。我正在使用与BCM61B匹配的BJT芯片。但是2个2n2222 BTJ在390欧姆时给出了1%的精度。谢谢奥林。
大卫,

0

一种众所周知的方法是级联电流镜,这有助于增加CMRR,使镜像线性化,但也限制了操作范围。


我亲自建立了级联,并获得了4.7%的准确度。
大卫,

@David,所以您的意思是您对此做了些什么?您是否使用配对?除非您实际构建的是Si,然后注意使用通用的质心布局,否则您将无法期望任何级别的匹配,因此也就不会期望任何级别的精度。实际上,这对您将是一个有用的练习,请进行计算以显示晶体管失配的影响。您很幸运获得了5%。
占位符

我可以看到W / L的差异如何影响镜子。Willson CM中的2个较低的mosfets占主导地位。我希望在同一芯片上有2个mosfet足够接近,但我想不是。
大卫,

我还认为4 mosfet镜子比上面讨论的2 mosfet镜子更好。
大卫,
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